4月23日,《2024年度產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟活躍度評(píng)價(jià)報(bào)告》發(fā)布會(huì)在北京舉行。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟獲得2024年度活
參觀完光谷、車(chē)谷的優(yōu)秀企業(yè)后,我被武漢的創(chuàng)新氛圍所打動(dòng),期望以后有更多的機(jī)會(huì),能和武漢有合作。來(lái)自蘇州的佑倫裝備有限公司
垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)憑借其低閾值、圓形光斑、單縱模、低溫漂系數(shù)、高可靠性及易于二維集成的優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于泵浦源、
天眼查顯示,泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司一種超結(jié)快恢復(fù)平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法專(zhuān)利公布,申請(qǐng)公布日為2025年3月7
2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)23日在武漢東湖高新區(qū)(又稱(chēng)中國(guó)光谷)開(kāi)幕,作為國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域規(guī)模最大、規(guī)格最高
4月18日,華潤(rùn)微電子與美的集團(tuán)在美的總部(廣東佛山)全球創(chuàng)新中心簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將在半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)、行業(yè)智能化升級(jí)
4月23日,光谷青桐匯化合物半導(dǎo)體專(zhuān)場(chǎng)活動(dòng)在光谷舉行,7個(gè)產(chǎn)業(yè)優(yōu)質(zhì)項(xiàng)目進(jìn)行路演,吸引了上市企業(yè)、20余家知名投資機(jī)構(gòu)、科研院所
作為國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域規(guī)模最大、規(guī)格最高的行業(yè)盛會(huì),2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)于2025年4月23日在中國(guó)光谷科
2025年4月23日,在第三屆九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE)期間,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)(以下
4月23日,2025九峰山論壇(JFSC)暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE)在光谷科技會(huì)展中心盛大開(kāi)幕。兩院院士、行業(yè)領(lǐng)袖、企業(yè)代表、專(zhuān)業(yè)觀眾聚首江城共赴年度之約,超兩萬(wàn)平方展覽面積近300家參展商亮相的沸騰現(xiàn)場(chǎng)證明化合物半導(dǎo)體的未來(lái),正在中國(guó)光谷寫(xiě)下最熾熱的注腳。
4月21日,路維光電在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露,公司江蘇路芯半導(dǎo)體掩膜版項(xiàng)目一期在2025年上半年送樣90-100nm制程節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體掩膜版,2
4月23日,2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)(CSE)在光谷開(kāi)幕,吸引來(lái)自國(guó)內(nèi)外的近300家化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)參展,展
天津華源光電科技有限公司近日完成數(shù)千萬(wàn)元天使輪融資,由韋豪創(chuàng)芯與常見(jiàn)投資聯(lián)合投資。本輪融資將加速核心產(chǎn)品驗(yàn)證及量產(chǎn)落地,
智匯光谷、激活未來(lái),4月23日上午,2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)在光谷開(kāi)幕。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)
近日,根據(jù)中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)中微公司)發(fā)布的2024年度財(cái)報(bào)顯示,該公司董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官尹志堯已
近日,清純半導(dǎo)體推出第3代碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)平臺(tái),該平臺(tái)首款主驅(qū)芯片(型號(hào):S3M008120BK)的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ
近期,寬禁帶半導(dǎo)體國(guó)家工程研究中心郝躍院士、馬曉華教授團(tuán)隊(duì)在氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)領(lǐng)域取得重要突破,成
光谷青桐匯Ultra(化合物半導(dǎo)體專(zhuān)場(chǎng))即將重磅亮相。專(zhuān)場(chǎng)活動(dòng)將與國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域頂級(jí)盛會(huì)九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博
4月23-25日,武漢光谷科技會(huì)展中心2025九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì),30+重磅論壇活動(dòng),200+報(bào)告嘉賓,近300家展商齊聚CS
天眼查顯示,蘇州長(zhǎng)光華芯光電技術(shù)股份有限公司半導(dǎo)體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法專(zhuān)利公布,申請(qǐng)公布日為2025年3月7日,申請(qǐng)公
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