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12月15日消息(南山)據國家知識產權局,中國科學院半導體研究所近日公開了一項集成光子芯片專利,公開號:CN117170016A。專利簡

近日,芯片公司湃睿半導體宣布完成了由毅達資本領投的數千萬元A輪融資,此前,公司已完成了由德聯資本領投的Pre-A輪融資。本次融

近日,廣州青藍半導體有限公司(以下簡稱廣州青藍)IGBT投產儀式在廣汽零部件(廣州)產業園舉行。廣州青藍由廣汽部件與株洲中車

近日,蘇州中科重儀半導體材料有限公司(以下簡稱中科重儀)自主研發的應用于電力電子領域的大尺寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延

VCSEL是很有發展前景的新型光電器件,也是光通信中革命性的光發射器件。VCSEL的優異性能已引起廣泛關注,成為國際上研究的熱點。

高性能陶瓷基板具有優異的機械、熱學和電學性能,在電子和半導體領域有著廣泛的應用,可以支撐和固定半導體材料的基礎材料。其低

2024年半導體銷售市場將復蘇,年增長率達20%;受終端需求疲弱影響,供應鏈去庫存進程持續,雖2023下半年已見到零星短單與急單,但仍難以逆轉上半年年減20%的表現,預期2023年半導體銷售市場將年減12%。

12月5日,廣州青藍半導體有限公司(以下簡稱廣州青藍)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)投產儀式,在廣州青藍公司現場圓滿舉行。番禺

十四五以來,基于自發光顯示的微投影顯示光學系統成為了研究熱點。近日,在廈門召開的第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)第二十

近日,河北同光半導體股份有限公司(簡稱:同光股份)宣布完成F輪融資。本輪融資規模為15億元,由深創投制造業轉型升級新材料基

材料的更替是現代科技進步的根本推動力。作為第三代半導體材料,立方氮化硼(c-BN)具有僅次于金剛石的硬度,在高溫下良好的化學

金剛石材料因具有超寬禁帶、高載流子遷移率、高飽和漂移速度、高熱導率等優異特性,被認為是終極半導體材料,已成為國內外研究熱

半導體材料是信息技術產業的基石,氧化鎵(Ga2O3)是潛力新星超寬帶隙材料,Ga2O3 是大功率、高效率、特高壓器件的理想選擇。也

近日,第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)第二十屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)在廈門國際會議中心召開。期間,超寬禁帶

科技日報記者 劉垠11月28日,第九屆國際第三代半導體論壇第二十屆中國國際半導體照明論壇在廈門召開。國家新材料產業發展專家咨

昨日第九屆國際第三代半導體論壇暨第二十屆中國國際半導體照明論壇在廈門國際會議中心舉行論壇由廈門市人民政府、廈門大學第三代

2023年11月30日,第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)第二十屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)于廈門國際會議中心勝利閉幕。

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