以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導體材料，相比第一代單質半導體，在高頻性能、高溫性能方面優異很多，發展前
以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導體材料，相比第一代單質半導體，在高頻性能、高溫性能方面優異很多，發展前
第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日于廈門國際會議中心召開。組委會結合高校院所實際情況，積極采納專家學者的建議，以及各高校學生投稿時間的需求，決定將論文擴展摘要&全文提交截止日期延至10月20日。請有投稿意愿的投稿者務必于截止日前提交論文摘要。
9月19日，以半導體設備與新材料為主題的產學研對接會在北京大學東莞光電研究院（下稱北大光電院）召開。來自激光器、Micro LED、
日程出爐！2023化合物半導體器件與封裝技術論壇將于10月12-13日在深圳召開
9月15日，東科半導體（安徽）股份有限公司與北京大學共同組建的第三代半導體聯合研發中心正式揭牌成立。由北京大學科學研究部謝
走進光子信息與能源材料研究中心（以下簡稱研究中心），一臺臺先進增材制造的中小試設備正高效運行，而在不久的將來該研究中心先
9月6-8日，三安半導體攜碳化硅全產業鏈產品亮相SEMICONTaiwan2023，成功吸引行業關注，展示公司在第三代半導體研發和商業化進程
9月6日，第三代半導體產業創新發展大會在南京市江寧開發區舉行。國家第三代半導體技術創新中心（南京）一期項目竣工投產。國家第
走進第三代半導體產業鏈鏈主企業山西爍科晶體有限公司小晶片釋放大能量一排排3米多高的碳化硅單晶生長設備整齊排列，設備內部超
9月2日），蘇州工業園區在桑田科學島舉辦國家生物藥技術創新中心、國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）總部大樓開工儀式。江蘇
各有關單位：為進一步貫徹黨中央國務院關于促進中小企業發展、深化產教融合和創新驅動發展戰略的決策部署，破解產業發展中的實際
各有關單位：為貫徹落實黨中央國務院關于促進中小企業發展、深化產教融合和創新驅動發展戰略的決策部署，落實工業和信息化部、教
近日，半導體行業又一批項目迎來最新進展，范圍涉及半導體材料、半導體制造、功率器件、半導體設備零部件等。展芯、城邁信創等項
2023化合物半導體器件與封裝技術論壇將于10月12-13日在深圳召開。
該項目總投資預計超過200億元，其中項目一期總投資100億元，可年產36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等。
今年第二季度，國際半導體產業協會（SEMI）正式發布了碳化硅半導體外延晶片全球首個SEMI國際標準《4H-SiC同質外延片標準》（Spec
半導體照明網消息：第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日于廈
以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體材料正迎來廣闊的發展前景，成為全球的機會和關注焦點。碳化硅作為第三代半導體產業發展