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2025年4月17日，捷捷微電披露接待調(diào)研公告，公司于4月16日接待博時(shí)基金、東北電子、東方基金、國聯(lián)基金管理、國信證券等48家機(jī)構(gòu)

朗峰新材料納米晶粉與納米晶器件項(xiàng)目、準(zhǔn)芯半導(dǎo)體先進(jìn)6英寸硅基工業(yè)級(jí)功率半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目、大道空天高新科技（內(nèi)蒙古）有限公司無人機(jī)研發(fā)制造項(xiàng)目集中開工儀式在準(zhǔn)格爾經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)大路產(chǎn)業(yè)園舉行。

環(huán)球晶董事長徐秀蘭表示，主流6英寸碳化硅（SiC）基板的價(jià)格已經(jīng)穩(wěn)定，但市場(chǎng)反彈仍不確定。

華芯微電子首條6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線第一片晶圓成功下線！

百立新半導(dǎo)體6英寸MEMS晶圓制造線項(xiàng)目備案手續(xù)已批復(fù)，項(xiàng)目建設(shè)周期為2024年至2026年。

預(yù)計(jì)今年二季度將建成國內(nèi)領(lǐng)先的特色工藝晶圓生產(chǎn)線，并實(shí)現(xiàn)整線通線，進(jìn)行試生產(chǎn)。

據(jù)順義科創(chuàng)官微披露消息，近日，瑞能微恩半導(dǎo)體（北京）有限公司廠房項(xiàng)目已完成全部施工內(nèi)容，擴(kuò)建工程已通過竣工驗(yàn)收。據(jù)悉，瑞

11月6日，北一半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱北一半導(dǎo)體）在其官微宣布其晶圓廠喜封金頂。據(jù)介紹，北一半導(dǎo)體投資20億元在穆棱經(jīng)

西安電子科技大學(xué)郝躍院士課題組張進(jìn)成教授、李祥東教授團(tuán)隊(duì)與松山湖材料實(shí)驗(yàn)室王新強(qiáng)教授、袁冶副研究員團(tuán)隊(duì)，以及廣東致能科技有限公司聯(lián)合攻關(guān)

9月11日晚，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（下文簡稱鎵仁半導(dǎo)體）宣布，公司今年8月在氧化鎵襯底加工技術(shù)上取得突破性進(jìn)展，成功研制超

安芯電子車規(guī)級(jí)6英寸晶圓設(shè)計(jì)制造項(xiàng)目、淄博芯材集成電路封裝載板項(xiàng)目、晶能微電子車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體封測(cè)基地一期項(xiàng)目、民翔半導(dǎo)體存儲(chǔ)項(xiàng)目、河南芯盛半導(dǎo)體封測(cè)項(xiàng)目、冠石半導(dǎo)體光掩模版項(xiàng)目迎來新進(jìn)展

合盛硅業(yè)董事&合盛新材料總經(jīng)理浩瀚表示,合盛新材從2018年開始正式進(jìn)軍碳化硅產(chǎn)業(yè),目前公司已完整掌握了碳化硅材料的原料合成、晶體生長、襯底加工以及芯片外延等全產(chǎn)業(yè)鏈核心工藝技術(shù),突破關(guān)鍵材料(多孔石墨、涂層材料)和裝備的技術(shù)壁壘,6英寸襯底和外延片已得到國內(nèi)多家下游器件客戶的驗(yàn)證,8英寸襯底研發(fā)進(jìn)展順利。

投資約20億元，年產(chǎn)120萬片6英寸功率半導(dǎo)體特色工藝晶圓產(chǎn)線9月底試生產(chǎn)

近日，泰科天潤披露了最新6英寸SiC電力電子器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告表。文件顯示，泰科天潤6英寸碳化硅電力電子器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)

近日，據(jù)湖北新聞透露，長飛先進(jìn)武漢基地項(xiàng)目預(yù)計(jì)今年6月封頂，明年7月投產(chǎn)，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)可年產(chǎn)36萬片6英寸SiC晶片及外延片、年產(chǎn)

該項(xiàng)目為廣東省2022年和2023年重點(diǎn)建設(shè)項(xiàng)目、深圳市2022年和2023年重大項(xiàng)目，是深圳加快第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要布局。

2英寸碳化硅單晶襯底、4英寸碳化硅單晶襯底、6英寸碳化硅單晶襯底河北同光半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱同光）自成立以來，不斷

9月6日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)在南京市江寧開發(fā)區(qū)舉行。國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）一期項(xiàng)目竣工投產(chǎn)。國家第

科友半導(dǎo)體宣布，以其自主設(shè)備和技術(shù)研發(fā)的6英寸SiC晶體在厚度上實(shí)現(xiàn)突破，達(dá)到32.146mm，業(yè)內(nèi)領(lǐng)先。

山東國宏中能年產(chǎn)11萬片碳化硅襯底片項(xiàng)目作為省優(yōu)選和市、區(qū)重點(diǎn)項(xiàng)目，總投資6.9億元，分兩期建設(shè)，將生產(chǎn)4英寸及6英寸碳化硅襯底片。