?隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展和新能源、新能源汽車等領(lǐng)域的興起，功率模塊市場(chǎng)呈現(xiàn)出穩(wěn)健的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。電源模塊技術(shù)不斷進(jìn)步，特別是在新能源汽車領(lǐng)域，高效、可靠的電源模塊需求激增，推動(dòng)了技術(shù)的快速發(fā)展。數(shù)字化、智能化和綠色環(huán)保趨勢(shì)的推進(jìn)，電源模塊行業(yè)將迎來(lái)更多的創(chuàng)新和變革。?

近日，第十屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS&SSLCHINA2024）在蘇州召開(kāi)。?論壇期間的“功率模塊與電源技術(shù)應(yīng)用峰會(huì)”上，天津大學(xué)教授薛凌霄、小鵬汽車功率系統(tǒng)總監(jiān)陳皓、瑞薩半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體高級(jí)總監(jiān)嚴(yán)啟南、易能時(shí)代科技有限公司董事長(zhǎng)兼CEO蘇昕、納微半導(dǎo)體應(yīng)用總監(jiān)李賓、長(zhǎng)城電源技術(shù)有限公司深圳研發(fā)中心副總經(jīng)理蔡磊、浙江大學(xué)副研究員閆海東、派恩杰半導(dǎo)體(浙江)有限公司應(yīng)用主任工程師雷洋等專家們帶來(lái)精彩報(bào)告，共同探討功率模塊與電源技術(shù)應(yīng)用的最新進(jìn)展。浙江大學(xué)教授、浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心電源管理技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳新科，廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長(zhǎng)邱宇峰共同主持了本屆峰會(huì)。

吳新科

浙江大學(xué)教授、浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心電源管理技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟理事長(zhǎng)

邱宇峰

廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長(zhǎng)

?

薛凌霄

天津大學(xué)教授

天津大學(xué)教授薛凌霄帶來(lái)了“氮化鎵器件在多輸出電源中的應(yīng)用”的主題報(bào)告，介紹了現(xiàn)有多端口充電器存在的問(wèn)題，擬議的基于多路復(fù)用的解決方案，用QR控制器實(shí)現(xiàn)多路復(fù)用等內(nèi)容，報(bào)告顯示，兩級(jí)多輸出轉(zhuǎn)換器不可擴(kuò)展，提出了一種時(shí)分復(fù)用反激電路，演示了使用商用控制器的實(shí)現(xiàn)。報(bào)告指出，在滿載范圍內(nèi)運(yùn)行，具有卓越的輕載效率和EMI。

?

陳皓

小鵬汽車功率系統(tǒng)總監(jiān)

小鵬汽車功率系統(tǒng)總監(jiān)陳皓帶來(lái)了“塑封碳化硅模塊在800V電驅(qū)系統(tǒng)的應(yīng)用”的主題報(bào)告，結(jié)合整車應(yīng)用需求，分享了SiC塑封模塊關(guān)鍵技術(shù)、SiC應(yīng)用挑戰(zhàn)、整車應(yīng)用實(shí)績(jī)等內(nèi)容。報(bào)告指出，SiC應(yīng)用挑戰(zhàn)涉及帶著雜散參數(shù)、芯片并聯(lián)、EMC、軸電流等。其中，EMC的挑戰(zhàn)涉及碳化硅高開(kāi)關(guān)速度、高電壓，增大高頻共模噪聲；系統(tǒng)耦合干擾，兼容性設(shè)計(jì)難度高；充電功能復(fù)用，EMC濾波挑戰(zhàn)增大；濾波設(shè)計(jì)迭代，周期長(zhǎng)、代價(jià)高等。軸電流的挑戰(zhàn)涉及電控、電驅(qū)復(fù)雜系統(tǒng)耦合；電機(jī)軸承、減速器多電流環(huán)路共存；電機(jī)雜散參數(shù)一致性、不同工況油膜形成狀態(tài)等多因素耦合等。

?

嚴(yán)啟南

瑞薩半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體高級(jí)總監(jiān)

瑞薩半導(dǎo)體寬禁帶半導(dǎo)體高級(jí)總監(jiān)嚴(yán)啟南帶來(lái)了“氮化鎵HEMT技術(shù)和產(chǎn)品路線圖”的主題報(bào)告，涉及單片GaN雙向、GaN FQS原型、1200V技術(shù)等內(nèi)容。報(bào)告顯示，藍(lán)寶石上的GaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)了低成本1200V GaN，1200V GaN的性能優(yōu)于SiC MOSFET等。

蘇昕

易能時(shí)代科技有限公司董事長(zhǎng)兼CEO

充電模塊是汽車充電設(shè)備中最重要的核心部件，占充電樁成本50%。易能時(shí)代科技有限公司董事長(zhǎng)兼CEO蘇昕帶來(lái)了“電轉(zhuǎn)換電路與第三代半導(dǎo)體的協(xié)同發(fā)展”的主題報(bào)告，分享傳統(tǒng)電路中應(yīng)用第三代半導(dǎo)體的思路，重新設(shè)計(jì)電路發(fā)揮第三代半導(dǎo)體的長(zhǎng)處、降低第三代半導(dǎo)體的成本，解決大功率的痛苦。涉及EN5單極拓?fù)浼夹g(shù)、EN5拓?fù)潆娐返取?/p>

?

李賓

納微半導(dǎo)體應(yīng)用總監(jiān)

納微半導(dǎo)體應(yīng)用總監(jiān)李賓帶來(lái)了“氮化鎵與碳化硅驅(qū)動(dòng)AI與數(shù)據(jù)中心的電源創(chuàng)新”的主題報(bào)告。數(shù)據(jù)中心和人工智能需要高效、高功率密度的電源，報(bào)告顯示，3.2 kW CrM圖騰柱PFC，峰值效率達(dá)到99.3%。構(gòu)建了尺寸為90 x 30.5 x 11mm的1.5 kW 12V LLC模塊原型，在半負(fù)載時(shí)實(shí)現(xiàn)了97.5%的峰值效率。1.6kW 54V LLC模塊原型采用正在申請(qǐng)專利的磁集成技術(shù)，在半負(fù)載時(shí)峰值效率超過(guò)97.8%。

?

閆海東

浙江大學(xué)副研究員

浙江大學(xué)副研究員閆海東帶來(lái)了“基于低溫?zé)Y(jié)技術(shù)的高性能SiC模塊封裝方法”的主題報(bào)告，下一代低溫?zé)Y(jié)技術(shù)、N2-HCOOH中的低溫銅燒結(jié)、N2-HCOOH中的無(wú)壓銅燒結(jié)行為、無(wú)壓銅燒結(jié)的熱性能、大面積燒結(jié)AMB基板至散熱器、1200-600A SiC模塊的熱性能驗(yàn)證等內(nèi)容。

?

雷洋

派恩杰半導(dǎo)體(浙江)有限公司應(yīng)用主任工程師

碳化硅（SiC）MOSFET由于其優(yōu)越的效率、高溫耐受性以及相比傳統(tǒng)硅器件更快的開(kāi)關(guān)速度，已經(jīng)成為現(xiàn)代電力電子技術(shù)中的關(guān)鍵技術(shù)。然而，影響其廣泛應(yīng)用的一個(gè)重要挑戰(zhàn)是參數(shù)漂移，這會(huì)對(duì)其長(zhǎng)期穩(wěn)定性和性能產(chǎn)生影響。派恩杰半導(dǎo)體(浙江)有限公司應(yīng)用主任工程師雷洋做了“基于環(huán)流系統(tǒng)的碳化硅功率器件可靠性研究”的主題報(bào)告。報(bào)告指出，環(huán)流測(cè)試系統(tǒng)可以同時(shí)進(jìn)行多個(gè)模塊的老化實(shí)驗(yàn)，通過(guò)該實(shí)驗(yàn)可以監(jiān)測(cè)被測(cè)SiC MOSFET的參數(shù)漂移情況。短期實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在殼溫155℃左右運(yùn)行時(shí)，SiC MOSFET未觀察到明顯的參數(shù)漂移。該測(cè)試也可以擴(kuò)展至不同應(yīng)力條件下的加速老化實(shí)驗(yàn)對(duì)比。

?

蔡磊

長(zhǎng)城電源技術(shù)有限公司深圳研發(fā)中心副總經(jīng)理

《基于第三代半導(dǎo)體器件的大功率AI 服務(wù)器電源解決方案》?

?（根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)資料整理，僅供參考）?