國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，萬國半導體國際有限合伙公司申請一項名為“用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管”的專利，公開號 CN 119153460 A，申請日期為 2024 年 5 月。

專利摘要顯示，一種用于功率晶體管的保護結(jié)構(gòu)包括形成在溝槽多晶硅層中的一對或多對背對背 pn 結(jié)二極管，所述溝槽多晶硅層設置在形成于半導體襯底中的溝槽中。溝槽多晶硅層的至少一部分在半導體襯底的頂表面上方突出。交替的 N 型摻雜區(qū)和 P 型摻雜區(qū)沿著溝槽的長度形成在溝槽多晶硅層中。當跨功率晶體管的柵極端子和源極端子耦合時，可以有利地應用保護結(jié)構(gòu)來保護功率晶體管免受高電壓 ESD 事件的影響。