碳化硅MOSFET憑借其高溫、高壓、高頻等方面的突出優(yōu)勢，在光伏和電動汽車等新能源領域逐漸得到廣泛應用。然而，在實際應用中，碳化硅MOSFET表現出嚴重的長期可靠性問題，還有諸多問題有待解決。?

2025年2月26-28日，”2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”將在重慶融創(chuàng)施柏閣酒店舉辦。本次論壇由第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯盟（CASA）與三安光電股份有限公司共同主辦，極智半導體產業(yè)網（www.casmita.com）、第三代半導體產業(yè)、重慶三安半導體有限責任公司、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦，重慶郵電大學、重慶大學、湖南三安半導體有限責任公司等單位協辦。??

重慶大學電氣工程學院研究員蔣華平受邀將出席論壇，并帶來《碳化硅MOSFET動態(tài)閾值漂移》的主題報告，報告將針對2022年特斯拉Model 3召回事件從器件本體和電路回路參數差異兩個方面展開分析，揭示碳化硅MOSFET動態(tài)閾值漂移規(guī)律及其背后的物理機理，并提出相應的解決方法。報告詳情，敬請關注！?

嘉賓簡介

蔣華平博士

重慶大學“百人計劃”特聘研究員，博士生導師?

蔣華平，博士，重慶大學“百人計劃”特聘研究員，博士生導師。專注于碳化硅功率半導體芯片、封裝、測試以及應用技術研究與開發(fā)10余年：中國中車2年、英國丹尼克斯（Dynex Semiconductor Ltd）4年、英國華威大學（University of Warwick）2年、重慶大學6年。在碳化硅MOSFET動態(tài)閾值漂移等領域展開了深入系統(tǒng)研究，發(fā)表學術論文共計70余篇，其中期刊論文40余篇、會議論文30余篇。中國發(fā)明專利40余項，其中已授權14項，英國發(fā)明專利2項。牽頭制定第三代半導體聯盟團體標準1項，參與制定美國JEDEC標準1項。最早于國際頂級期刊IEEE Electron Device Letter上報道碳化硅MOSFET動態(tài)閾值漂移問題，開發(fā)的技術和設備，得到德國Infineon、美國Tektronix、德國S.E.T.公司（NI）和中國華為等國際一流公司認可和/或合作邀請。提出的局域電場增強理論，以及系列學術論文，被德國Infineon公司在其國際專利、學術論文和JEDEC標準中引用不少于7次。?

“先進半導體產業(yè)大會（CASICON）”

??“先進半導體產業(yè)大會（CASICON）”是由極智半導體產業(yè)網主辦，每年在全國巡回舉辦的行業(yè)綜合活動。CASICON 系列活動以助力第三代半導體產業(yè)為己任，聚焦先進半導體產業(yè)發(fā)展熱點，聚合產業(yè)相關各方訴求，持續(xù)輸出高質量的活動內容。自活動啟動以來，足跡已走過南京、長沙、西安、深圳、成都、濟南、上海等城市，圍繞產業(yè)鏈不同環(huán)節(jié)熱點，通過“主題會議+推薦展示”的形式，搭建了良好的交流平臺，促進了參與各方交流合作，捕捉合作新機遇，發(fā)揮了重要的橋梁與聚合價值。?

目前論壇組織正有序進行中，論壇誠邀全產業(yè)鏈相關專家學者、企業(yè)、從業(yè)人士蒞臨現場交流研討、參觀&合作。日程安排及專家、報告人詳見下圖???