專利摘要顯示，本發明涉及半導體激光元件技術領域，具體公開了一種氮化鎵基化合物半導體激光器。該氮化鎵基化合物半導體激光器，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導層、有源層、上波導層、上限制層，上波導層與上限制層之間具有強布里淵光力耦合層；強布里淵光力耦合層的In/C元素比例具有函數y＝A+x?1/2x第一四象限曲線分布；In/O元素比例具有函數y＝B+x?1/2x第一四象限曲線分布；In/H元素比例具有函數y＝C+x?1/2x第一四象限曲線分布；該氮化鎵基化合物半導體激光器，能夠降低激光光場耗散，抑制光場模式泄漏到襯底形成駐波，提升遠場圖像FFP質量、光束質量因子和激光相干性。

天眼查資料顯示，安徽格恩半導體有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業為主的企業。企業注冊資本8505.7882萬人民幣，實繳資本1316.6667萬人民幣。通過天眼查大數據分析，安徽格恩半導體有限公司共對外投資了1家企業，參與招投標項目4次，財產線索方面有商標信息2條，專利信息455條，此外企業還擁有行政許可12個。