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上海光通信申請半導體結構相關專利,縮小半導體結構線寬提高器件密度

發表于:2025-03-21 來源:半導體產業網 編輯:

國家知識產權局信息顯示,上海光通信有限公司申請一項名為“半導體結構的制備方法及半導體結構”的專利,公開號 CN 119626900 A,申請日期為 2024 年 11 月。

專利摘要顯示,本公開實施例提供一種半導體結構的制備方法及半導體結構,涉及半導體結構技術領域。該半導體結構的制備方法包括:形成目標待刻蝕層和第一圖案化層,目標待刻蝕層包括依次疊置的第一硅化物層、第一多晶硅層和第二硅化物層;刻蝕目標待刻蝕層,得到第二圖案化層,第二圖案化層包括多個第二圖案;形成側墻和第二多晶硅層,側墻覆蓋各第二圖案的側壁,第二多晶硅層填充在側墻之間的間隙;去除第一多晶硅層上方的膜層結構,以及位于第一多晶硅層和第二多晶硅層之間的側墻;刻蝕襯底以獲得半導體結構。通過控制側墻的形成參數,可以控制相鄰的第一多晶硅層和第二多晶硅層之間的間隙,從而可以半導體結構的線寬進一步縮小,提高半導體結構的器件密度。

天眼查資料顯示,上海光通信有限公司,成立于1988年,位于上海市,是一家以從事軟件和信息技術服務業為主的企業。企業注冊資本2038786.497萬人民幣,實繳資本50000萬人民幣。通過天眼查大數據分析,上海光通信有限公司共對外投資了7家企業,參與招投標項目46次,財產線索方面有商標信息12條,專利信息16條,此外企業還擁有行政許可170個。

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