國家知識產權局信息顯示，江蘇超芯星半導體有限公司申請一項名為“一種 8 英寸碳化硅晶圓單面拋光方法”的專利，公開號 CN 119635420 A，申請日期為 2024 年 12 月 。 

專利摘要顯示，本發明涉及 一種 8 英寸碳化硅晶圓單 面拋光方法，采用半徑小 于 8 英寸的陶瓷盤對 8 英 寸碳化硅晶圓進行單面 拋光，通過合理設置晶圓 與陶瓷盤及拋光盤的距 離，確保拋光過程中的力 學平衡和高效拋光。拋光 布和槽體的優化設計進 一步增強了拋光液的流 動性和均勻性。利用小尺 寸晶圓作為輔助工具，提高了拋光過程的穩定性和加工靈活 性，使得拋光后的晶圓表面平整度滿足實際生產要求，同時顯 著降低了生產成本，提升了設備利用率和生產效率。本發明提 供了一種高效、低成本、靈活性強的碳化硅晶圓拋光方法，具有 顯著的經濟效益和實用價值。

天眼查資料顯示，江蘇超芯星半導體有限公司，成立于2019年，位于南京市，是一家以從事研究和試驗發展為主的企業。企業注冊資本1565.4879萬人民幣，實繳資本785.7101萬人民幣。通過天眼查大數據分析，江蘇超芯星半導體有限公司共對外投資了2家企業，參與招投標項目9次，財產線索方面有商標信息40條，專利信息57條，此外企業還擁有行政許可17個。