?日盲紫外探測器（200-280nm）作為國防安全與環境監測的“火眼金睛”，在森林火災預警、深空探測等領域發揮著不可替代的作用。然而，傳統硅基器件受限于4.42 eV光子能量閾值，難以實現本征日盲特性，同時還存在暗電流高和熱穩定性差等瓶頸。中國科學院寧波材料技術與工程研究所硅基太陽電池及寬禁帶半導體團隊在葉繼春研究員與張文瑞研究員的帶領下，以鎵系超寬禁帶半導體氧化物（Ga2O3和ZnGa2O4）為核心材料，圍繞其本征日盲特性和耐極端環境等優勢展開攻關，在缺陷調控、器件設計和系統應用方面取得系列研究進展。
?針對日盲紫外探測器響應度和響應速度難以協同提升的技術瓶頸，研究團隊借鑒缺陷工程思路，發展了調控外延缺陷空間分布與表面缺陷鈍化技術，有效提高了光生載流子的選擇性輸運和快速收集能力，顯著提升了金屬-半導體-金屬型日盲紫外探測器件性能（光響應度>104 A/W，探測能力>1016 Jones，紫外-可見抑制比>104），并實現了日盲紫外信號的成像展示（如圖1）。相關成果發表在學術期刊ACS Applied Materials & Interfaces和Materials Today Physics上。
圖1?微米級ε-Ga2O3厚膜載流子輸運調控機制及性能對比
面向探測器件的低功耗和自驅動應用需求，研究團隊利用能帶工程設計和構建了4H-SiC/ZnGa2O4和p-NiO/i-Ga2O3/n-Ga2O3異質結自供能日盲紫外探測器。其中，4H-SiC/ZnGa2O4器件實現了零偏壓工作，獲得0.115A/W的高響應度，量子效率高達58.4%，并且器件在無外接偏壓的條件下，成功完成了光通信功能驗證。進一步研發了面向弱光探測的ε-Ga2O3/BaSnO3異質結雪崩光電探測器，在46.5V反向偏壓下實現1.5×104 A/W的超高響應度，雪崩增益達1.6×106，創下同類器件性能紀錄（如圖2）。該成果為深空探測等極端環境下的弱光信號檢測提供了創新解決方案。相關成果發表在學術期刊Applied Physics Letters、ACS Applied Materials & Interfaces和Materials Today Physics上。
圖2?自驅動光通信系統工作原理示意圖
研究團隊進一步探索日盲紫外探測器在保密通信中的應用，構建了p-NiO/n-ZnGa2O4異質結場效應晶體管，并發現柵壓調控光電流極性切換現象。該器件在0/40 V柵壓調控下，光電流實現了34.53 μA/-164.08 μA的可逆切換。基于此特性，團隊設計了光電異或邏輯門方案，以柵極電壓和日盲紫外光作為輸入、漏源電流作為輸出。通過調控柵極電壓對光信號進行編碼，使通信信號被截獲，若無正確的加密信號，接收方仍無法解析原始光信息，從而實現信息的動態加密，有效確保數據傳輸的安全性（如圖3），相關成果發表在學術期刊ACS Photonics上。
圖3?光電異或邏輯門實現安全光通信的原理圖
未來，研究團隊將持續深化鎵系超寬禁帶半導體材料與器件的基礎研究，加快推動新型紫外探測器的產業化應用，助力我國在高性能光電探測領域的技術突破與工程實踐。 ?相關成果
ACS Applied Materials & Interfaces Directional Carrier Transport in Micrometer-Thick Gallium Oxide Films for High-Performance Deep-Ultraviolet Photodetection DOI: 10.1021/acsami.3c00124 Materials Today Physics Photocarrier transport reconstruction and dramatical performance enhancement in ultrawide-bandgap ε-Ga2O3 photodetectors via surface defect passivation DOI: 10.1016/j.mtphys.2023.101280 Applied Physics Letters High-performance self-powered solar-blind ultraviolet photodetector based on a 4H-SiC/ZnGa2O4 heterojunction and its application in optical communication DOI: 10.1063/5.0178815 ACS Applied Materials & Interfaces Interface-Engineered High-Performance Self-Powered Solar-Blind Photodetector based on NiO/ε-Ga2O3 Heterojunctions DOI: 10.1021/acsami.5c00309 Materials Today Physics High performance solar blind avalanche photodetector based on a single-crystalline ?-Ga2O3/BaSnO3 heterojunction DOI: 10.1016/j.mtphys.2024.101385 ACS Photonics Gate-Tunable Current Polarity Switching in p-NiO/n-ZnGa2O4 Heterojunction Field-Effect Phototransistors for Secure Optical Communication DOI: 10.1021/acsphotonics.4c02509 ? 項目支持 國家自然科學基金 62204244、62304227 中國科學院人才項目 浙江省自然科學基金 LZ21F040001、LQ23F040003、LQ23F040005 寧波市甬江引才工程科技創新團隊 2021A-046-C （來源：中國科學院寧波材料所）
