專利摘要顯示，本發明涉及一種降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷的方法，包括以下步驟：第一步：進行緩沖層及外延層的生長；第二步：所述反應腔中壓力保持不變，將氫氣流量驟變至 10~50slm，同時通入 50~100slm 的氬氣進行第一階段降溫；第三步：待所述反應腔中溫度降至 1000~1200℃時，進行第二階段降溫；第四步：瞬間將氫氣流量降至 0slm，氬氣流量降至 10~30slm，同時恢復所述反應腔的內壓；第五步：在氬氣氛圍下進行吹掃，吹掃完成后關閉氬氣，靜置后取出外延片。通過該方法可以將碳化硅外延薄膜表面的 Bump 缺陷密度降低至 0.03cm?2 及以下，從而提高碳化硅外延片的質量，提高半導體器件的性能。

天眼查資料顯示，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司，成立于2011年，位于廈門市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業為主的企業。企業注冊資本40409.276萬人民幣，實繳資本38819.2129萬人民幣。通過天眼查大數據分析，瀚天天成電子科技（廈門）股份有限公司共對外投資了1家企業，參與招投標項目50次，財產線索方面有商標信息20條，專利信息67條，此外企業還擁有行政許可69個。