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意法半導體:未來3年聚焦12英寸Si/8英寸SiC的研發和建設

發表于:2025-04-16 來源:半導體產業網 編輯:

4月10日,意法半導體官網宣布 “重塑制造布局和調整全球成本基礎” 計劃。預計在未來3年,重點關注 300mm 硅、200mm 碳化硅的先進制造基礎設施和技術研發。
     

戰略核心:聚焦300mm硅與200mm碳化硅

SiC工廠分布:意大利卡塔尼亞:200mmSiC晶圓預計2025年4季度投產,主攻電動汽車與能源領域。意法半導體去年5月宣布在意大利卡塔尼亞新建8英寸SiC全產業鏈廠,總投資約50億歐元。目標是在 2026 年開始生產,到 2033 年達到滿負荷生產,全面擴建時每周可生產多達15,000片晶圓。

重慶安意法工廠:目前8英寸SiC晶圓廠已通線,預計2025年4季度投產。據悉,該工廠2023年6月與三安光電宣布合資建設,總投資約230億元人民幣(32億美元),作為ST的專用代工廠,滿足中國新能源汽車行業、工業電源和能源等應用需求。

Si片工廠分布:意大利阿格拉泰:目標成為300mm硅片旗艦級量產工廠,計劃2027年產能翻至4000片/周,遠期目標14000片,具體時間取決于市場情況;法國克羅勒斯:計劃2027年的產能提升至14000片/周,據市場情況提升至20000片/周。法國圖爾:專注200mm硅片生產線的部分工藝,其他生產活動(包括原有的150mm制造業務)將轉移至意法半導體的其他工廠。新加坡宏茂橋:專注于200mm硅片制造,并將擁有整合的全球傳統150mm硅片產能。

GaN工廠分布:意大利卡塔尼亞:集中資源生產200mmSiC和硅基功率半導體,包括硅基氮化鎵。法國圖爾:圖爾工廠仍將作為GaN(主要從事外延)技術的核心,并將開展一項新的業務:面板級封裝,這是Chiplet(芯片)的主要推動力之一。今年3月31日,ST還和英諾賽科簽署GaN技術開發和制造協議,生產GaN晶圓。

人員調整:自愿離職+技能升級

伴隨制造流程自動化,ST預計2026-2027年全球最多2800人自愿離職(不含自然流失);重點培養工藝控制、自動化設計等新型技術人才;承諾以協商方式推進調整,保障員工權益。

(來源:意法半導體官網)

 

 

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