近日，氮化鎵芯片領(lǐng)先企業(yè)珠海鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）宣布完成近億元A+輪融資。

 

據(jù)悉，本輪投資由順為資本、高瓴創(chuàng)投、盈富泰克聯(lián)合投資，深啟投資擔(dān)任獨(dú)家財(cái)務(wù)顧問。融資將主要用于氮化鎵功率芯片新產(chǎn)品研發(fā)及應(yīng)用方案開發(fā)，此外還將用于供應(yīng)鏈建設(shè)。

 

鎵未來成立于2020年10月，致力于高端氮化鎵功率器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，公司成立至今已累計(jì)融資三輪，合計(jì)超2億元。

 

融資歷程：

 

2021年2月，獲得珠海科創(chuàng)投、大橫琴集團(tuán)、境成投資、禮達(dá)聯(lián)馬投資和世聯(lián)行天使輪融資；

 

2021年8月，獲得珠海科創(chuàng)投、大橫琴集團(tuán)、境成投資、禮達(dá)聯(lián)馬投資和世聯(lián)行A輪融資，融資金額為數(shù)千萬元；

 

2022年4月，獲得天壹資本、盈富泰克、華金資本B輪融資。

 

2021年，鎵未來研發(fā)并量產(chǎn)了適用于30W-120W電源適配器的氮化鎵開關(guān)器件產(chǎn)品，主要應(yīng)用于手機(jī)/筆記本快充中，在手訂單達(dá)數(shù)百萬顆。2022年將繼續(xù)推出適用于140W、200W、330W等低功率應(yīng)用場(chǎng)景的高性能氮化鎵功率器件產(chǎn)品及電源整體解決方案。

 

目前最具發(fā)展?jié)摿Φ牟牧霞礊榫邆涓吖β始案哳l率特性的寬禁帶（Wide Band Gap；WBG）半導(dǎo)體，包含碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN），主要應(yīng)用大宗為電動(dòng)車、快充市場(chǎng)。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究推估，第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)值將從2021年的9.8億美元，至2025年將成長至47.1億美元，年復(fù)合成長率達(dá)48%。

Source：TrendForce集邦咨詢