直播預(yù)告| 強芯沙龍第二期來襲！專家名企聚焦氮化鎵功率半導(dǎo)體材料與器件！
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
以服務(wù)產(chǎn)業(yè)、引領(lǐng)行業(yè)、傳遞企業(yè)聲音的為自己的使命，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用合作以及跨界應(yīng)用的開放協(xié)同創(chuàng)新，推動產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系的建設(shè)，關(guān)注跟蹤和培育擁有自主知識產(chǎn)權(quán)、知名品牌和市場競爭力強的優(yōu)勢企業(yè)，推動第三代半導(dǎo)體材料及器件研發(fā)和相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
? ? ? ?半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：好消息！強芯沙龍第二期來襲！云端論劍·創(chuàng)“芯”之道——第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略沙龍將于6月22日（本周三）15:00開播，本期將聚焦：氮化鎵功率半導(dǎo)體材料與器件！
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??近年來隨著國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新建產(chǎn)能及擴(kuò)產(chǎn)速度加快，疊加新冠疫情造成物流運輸服務(wù)受阻導(dǎo)致國外材料供應(yīng)、零部件交期不斷延遲，為我國一些具有高成長潛力的國內(nèi)半導(dǎo)體材料零部件企業(yè)帶來國產(chǎn)替代的機會。然而，我國半導(dǎo)體材料零部件產(chǎn)業(yè)作為進(jìn)行技術(shù)追趕的后發(fā)產(chǎn)業(yè)，除了要彌補在基礎(chǔ)工藝研究投入和專業(yè)人才培養(yǎng)上的差距外，由于半導(dǎo)體材料零部件行業(yè)本身的特點，與國外領(lǐng)先企業(yè)競爭時還面臨諸多挑戰(zhàn)。當(dāng)前，國際龍頭企業(yè)大力完善產(chǎn)業(yè)布局，強化競爭優(yōu)勢，沿產(chǎn)業(yè)鏈上下游延伸趨勢日益明顯，全產(chǎn)業(yè)鏈布局進(jìn)一步提升了其競爭優(yōu)勢。在這種形勢下，國內(nèi)企業(yè)如何破局是需要國內(nèi)產(chǎn)業(yè)界必須思考和面對的問題。
》》》第一期好評如潮
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??強芯沙龍活動，是由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)策劃主辦，主要邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條“產(chǎn)學(xué)研用資”多方高層代表參與云端對話，把脈產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀，尋“芯”問道，促進(jìn)合作！強芯沙龍的初衷也是為大家行業(yè)提供一個有益的交流平臺，希望通過一期期的有益探討，能為業(yè)界帶來更多有價值的信息。
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? ? ? ?強芯沙龍第一期：碳化硅功率器件與工藝專場得到了爍科晶體李斌總經(jīng)理，泰科天潤董事長、總經(jīng)理陳彤博士，國宏中宇趙然總經(jīng)理，中車科學(xué)家劉國友博士，中科創(chuàng)星董事總經(jīng)理盧小保先生的大力支持，會后我們回訪收到了諸多反饋，紛紛點贊直播參與嘉賓資深，討論的問題和嘉賓回答都十分到位！經(jīng)過嘉賓討論分享，更能加速觀眾行業(yè)認(rèn)知，傳遞行業(yè)真實聲音，反應(yīng)產(chǎn)業(yè)真實現(xiàn)狀，產(chǎn)業(yè)鏈上下游間的信息傳播更為實際、更貼近市場。
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? ? ? ?觀眾涵蓋第三代半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)、知名高校院所、投融資機構(gòu)、基金公司、學(xué)生、媒體等。有投資人反饋，強芯沙龍嘉賓和主持人討論的問題很深入，主持人問的和嘉賓回答的都十分精彩，比去有些企業(yè)現(xiàn)場盡調(diào)還要好。有研究機構(gòu)分析師表示：“強芯沙龍?zhí)澚耍乙偃タ椿乜矗钨e分享的信息很有價值，省的跑去企業(yè)調(diào)研了。>>>第一期點擊回看
》》》第二期如約而至
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??6月22日（周三）15：00-17:00，強芯沙龍第二期聚焦：氮化鎵功率半導(dǎo)體材料與器件！本期特別邀請到：北京大學(xué)理學(xué)部副主任、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任沈波教授，香港科技大學(xué)講座教授(Chair Professor)陳敬教授，晶湛半導(dǎo)體創(chuàng)始人、董事長兼總裁程凱博士，英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用副總經(jīng)理陳鈺林先生，并邀請第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長趙璐冰博士擔(dān)任特邀嘉賓主持人。
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??值得關(guān)注的是，ISPSD 2022于5月22-25日在加拿大溫哥華舉行。功率半導(dǎo)體器件和集成電路國際會議（ISPSD）是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域在國際上最重要、影響力最強的頂級學(xué)術(shù)會議，它被認(rèn)為是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域的奧林匹克會議，一直以來都是國內(nèi)外半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界龍頭企業(yè)和全球知名學(xué)術(shù)科研機構(gòu)爭相發(fā)表和展示功率半導(dǎo)體前沿技術(shù)重要成果的舞臺。近幾年來，隨著政府支持和社會投入力度的不斷加大，我國在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得可喜的進(jìn)步，并得到國際同行的認(rèn)可。陳敬教授（Kevin J. Chen）擔(dān)任ISPSD 2022大會副主席。同時還將擔(dān)任下一屆ISPSD 2023大會主席。屆時，陳敬教授將分享《從ISPSD2022 看氮化鎵功率電子的發(fā)展》為題的引言報告。
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》》》本期針對性討論問題：
??1、GaN HEMT不同技術(shù)路線的分析，各自優(yōu)缺點，適用于不同的可靠性要求、成本控制？
??2、GaN功率器件不同應(yīng)用市場的發(fā)展情況，GaN的效率與Si比有多少提升，成本方面相差多少？目前在快充、數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用情況如何？
??3、GaN功率器件在手機和新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用前景如何？GaN在OBC DCDC上是否有性能和系統(tǒng)成本優(yōu)勢？
??4、臺積電在發(fā)展Si基GaN代工模式并不斷擴(kuò)充產(chǎn)能，國內(nèi)還是以IDM為主，哪種方式更適合國內(nèi)未來發(fā)展？目前6英寸和8英寸的綜合成本和性能如何，12英寸發(fā)展的時間表？
??5、GaN-on-SOI、GaN on GaN、GaN IC等技術(shù)發(fā)展趨勢和產(chǎn)業(yè)化可能性的判斷？
? ? ? ?6、GaN 功率器件最新技術(shù)進(jìn)展，相較于Si和SiC目前來看，競爭力對比；價格和成本進(jìn)展；目前制約的因素是哪些？Si上GaN在射頻領(lǐng)域的推進(jìn)情況和難點；相較于傳統(tǒng)的平面結(jié)構(gòu)，垂直結(jié)構(gòu)的前景.......等等。（直播間可在線向嘉賓提問）
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》》》本期嘉賓簡介：
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》》引言報告嘉賓：
陳敬教授
香港科技大學(xué)講席教授
??陳敬教授1988年獲得北京大學(xué)學(xué)士學(xué)位，并通過CUSPEA項目于1993年獲得美國馬里蘭大學(xué)帕克分校博士學(xué)位。他的行業(yè)實踐經(jīng)歷包括在日本NTT LSI實驗室和美國安捷倫科技從事化合物半導(dǎo)體高速器件技術(shù)研發(fā)工作。
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??陳敬教授自2000年起在香港科技大學(xué)任教，現(xiàn)為電子和計算機工程系正教授。他曾在國際期刊和會議論文集中發(fā)表500余篇論文，其中包括國際電子器件會議IEDM發(fā)表28次. 在GaN電子器件技術(shù)方面曾獲得11項美國專利授權(quán)。他所帶領(lǐng)的團(tuán)隊目前的研究重點在于開發(fā)用于功率電子、射頻/微波及耐惡劣環(huán)境電子等方面的GaN器件及集成電路技術(shù)。
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??他是IEEE Fellow， 2013年陳敬教授曾擔(dān)任《IEEE電子器件匯刊》“GaN電子器件”特刊的特邀編委。此外，他還擔(dān)任《IEEE電子器件匯刊》、《IEEE微波理論與技術(shù)匯刊》及《日本應(yīng)用物理雜志》的編輯。陳敬教授曾于2019年擔(dān)任在上海舉辦的IEEE第31屆國際功率半導(dǎo)體器件和集成電路研討會ISPSD2019的技術(shù)委員會主席，并將于2023年在深圳舉行的第35屆ISPSD2023擔(dān)任大會主席。
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》》對話嘉賓：
沈波?教授
北京大學(xué)理學(xué)部副主任、
寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任、教授
??沈波教授，現(xiàn)任北京大學(xué)理學(xué)部副主任、寬禁帶半導(dǎo)體研究中心主任、物理學(xué)院長江特聘教授、國家杰出青年基金獲得者、基金委創(chuàng)新研究群體帶頭人，國家973計劃項目首席科學(xué)家、國家863計劃“半導(dǎo)體照明”重點專項總體專家組成員、國家863計劃“第三代半導(dǎo)體”重點專項總體專家組組長、國家“戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料”重點專項總體專家組成員。
??1995年迄今一直從事III族氮化物（又稱GaN基）寬禁帶半導(dǎo)體材料、物理和器件研究，在GaN基量子結(jié)構(gòu)的MOCVD外延生長、強極化/高能帶階躍半導(dǎo)體二維電子氣輸運性質(zhì)、 寬禁帶半導(dǎo)體缺陷物理、GaN基微波射頻器件和功率電子器件、AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件等方面取得了在國內(nèi)外同行中有一定影響的研究成果。先后主持和和作為核心成員參加國家973計劃、863計劃和自然科學(xué)基金重點項目等20多項國家級科研課題。迄今發(fā)表學(xué)術(shù)論文300多篇，論文被引用4000多次，獲得/申請國家發(fā)明專利50多件，先后獲國家技術(shù)發(fā)明二等獎、國家自然科學(xué)二等獎、江蘇省科技進(jìn)步一等獎和教育部科技進(jìn)步一等獎。部分研究成果實現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，并產(chǎn)生了顯著的經(jīng)濟(jì)和社會效益。
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》》對話嘉賓：
程凱博士
晶湛半導(dǎo)體創(chuàng)始人、董事長兼總裁
??程凱博士，現(xiàn)任蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司董事長、總裁,從事科研工作近20年。2002年畢業(yè)于清華大學(xué)電子工程系,獲本科和碩士學(xué)位,2003年留學(xué)比利時,進(jìn)入魯汶大學(xué)和歐洲微電子研究中心(imec)聯(lián)合培養(yǎng)博士項目。2007年獲得中國國家優(yōu)秀自費留學(xué)生獎學(xué)金,2008年獲得電子工程博士學(xué)位。隨后在imec獲得永久職位,任資深科學(xué)家,致力于氮化鎵外延材料、器件設(shè)計等方面的研發(fā)。在國外期間,共申請國際發(fā)明專利15項,已授權(quán)8項,共發(fā)表論文108篇,文章引用過千次。
??程凱在業(yè)界第一次制備出6英寸和8英寸硅上氮化鎵電力電子材料，是業(yè)界公認(rèn)的硅上氮化鎵外延技術(shù)的開拓者之一。2012年3月，程凱選擇回國創(chuàng)業(yè)，創(chuàng)立晶湛半導(dǎo)體，致力于關(guān)鍵寬禁帶半導(dǎo)體--氮化鎵（GaN）外延材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。晶湛半導(dǎo)體也是目前國際上唯一可供應(yīng)300mm硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的廠商。擁有國際先進(jìn)的氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地，致力于為高端光電、電力電子、微波射頻等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案。目前已在國內(nèi)外累計申請近400項專利，其中已獲得超100項專利授權(quán)。在氮化鎵外延領(lǐng)域已掌握多項核心技術(shù), 擁有完全獨立的自主知識產(chǎn)權(quán)。
??2014年底，晶湛半導(dǎo)體就率先在全球首次發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品，經(jīng)有關(guān)下游客戶驗證，該材料具備全球領(lǐng)先的技術(shù)指標(biāo)和卓越的性能，填補了國內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)的空白。2021年9月，晶湛半導(dǎo)體又成功全球首發(fā)12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。2022年4月8日，蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司發(fā)布了其面向微顯示產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的Full Color GaN??全彩系列外延片產(chǎn)品，并將LED外延片尺寸成功拓展至300mm。
》》對話嘉賓：
陳鈺林先生
英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用副總經(jīng)理
??陳鈺林先生，現(xiàn)任英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用副總經(jīng)理，曾供職于美國EPC公司7年，屬于國內(nèi)第一批推廣氮化鎵的技術(shù)人才，擁有17年電力電子半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗和11年氮化鎵器件應(yīng)用及市場推廣經(jīng)驗。在氮化鎵技術(shù)與應(yīng)用等方面有著豐富的經(jīng)驗和敏銳的市場洞察力，已與國內(nèi)多家重大客戶建立了深入的合作伙伴關(guān)系。
??英諾賽科科技有限公司作為國內(nèi)第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵領(lǐng)域頭部企業(yè)，成立于2015年12月，是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術(shù)企業(yè)，現(xiàn)擁有珠海、蘇州、深圳三大公司地點。公司成功建成投產(chǎn)全球首條200mm硅基氮化鎵晶圓與功率器件量產(chǎn)生產(chǎn)線，主要產(chǎn)品包括200mm硅基氮化鎵晶圓及30V-650V氮化鎵功率器件。受惠于高、低壓GaN產(chǎn)品出貨量大幅增長，英諾賽科快充產(chǎn)品首次進(jìn)入一線筆電廠商供應(yīng)鏈。與此同時，其蘇州8英寸晶圓廠已步入量產(chǎn)階段，IDM模式優(yōu)勢將在GaN產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展中逐步顯現(xiàn)。
??目前，英諾賽科擁有全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓的生產(chǎn)能力，主要產(chǎn)品涵蓋從低壓到高壓（30V-650V）的氮化鎵功率器件，并被廣泛應(yīng)用于激光雷達(dá)、數(shù)據(jù)中心、5G通訊、高密度高效快速充電、無線充電、車載充電器、LED燈照明驅(qū)動等領(lǐng)域。英諾賽科8英寸硅基氮化鎵的產(chǎn)能已達(dá)到每月10000片，并將逐漸擴(kuò)大至每月70000片以上。迄今為止，英諾賽科器件出貨量已超百萬顆，而因器件性能或可靠性問題的返廠率為0%。
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今年是山西省將2022年確定為“創(chuàng)新生態(tài)建設(shè)提質(zhì)年”，并重點實施八大提質(zhì)行動，啟動國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（山西）建設(shè)。八大舉措分別為聚焦高水平科技供給、聚焦高起點平臺培育、聚焦高質(zhì)量市場主體倍增、聚焦高價值成果推廣、聚焦高標(biāo)準(zhǔn)政策創(chuàng)設(shè)、聚焦高素質(zhì)人才培育、聚焦高品質(zhì)民生服務(wù)、聚焦高層次科技展會。恰逢其時，第十七屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議將于8月16-19日在山西太原召開，會議征文同步啟動！
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本屆大會是在國家科學(xué)技術(shù)部指導(dǎo)下，由中國有色金屬學(xué)會、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合主辦，半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國家重點實驗室、北京第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用工程技術(shù)研究中心、山西中科潞安紫外光電科技有限公司、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦，山西大學(xué)、中北大學(xué)、山西師范大學(xué)等單位協(xié)辦支持。》》》點擊查看詳情
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