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第三代半導體碳化硅企業愛仕特完成超3億元戰略融資

發表于:2023-01-11 來源:半導體產業網 編輯:

?半導體產業網訊:1月11日,據愛仕特官微透露,愛仕特完成超3億元戰略融資。這是繼武岳峰資本李峰總投后,武岳峰資本武平總領投愛仕特A+輪融資,國家開發銀行、中信建投、瑞芯資本、珠海華金集團、香港鄭氏集團、南通市政府、善金資本、產業資本上汽恒旭等相關或關聯機構跟投,共計融資超過 3 億元人民幣。本輪融資將用于加速車規級SiC功率MOS芯片研發與技術創新。

據悉,深圳愛仕特主要從事第三代半導體碳化硅大功率電力電子芯片與模塊,以及相關系統方案的開發。產品涵蓋電壓650V-3300V、電流5A-150A的SiC MOS芯片,高功率低耗損的SiC MOS模塊,以及基于SiC MOS模塊的整機應用系統方案,各項性能指標達到國際水平,提供各類規格參數的SiC MOS定制化服務,滿足不同行業需求。

產品突破方面,2022年8月,深圳愛仕特科技有限公司1200V碳化硅功率器件的 AEC-Q101試驗報告終于出爐。該項報告由權威第三方檢測機構——廣電計量出具,以汽車電子委員會發布的 AEC-Q101標準進行試驗,結果顯示愛仕特1200V碳化硅功率器件均能達到要求。愛仕特成為國內首批通過AEC-Q101認證的碳化硅器件及應用方案供應商。

2021年12月3日,愛仕特官微宣布,順利通過IATF16949及ISO9001雙體系認證。目前,愛仕特采用6英寸技術已量產20余款 650V-3300V 全系列 SiC MOSFET 產品,并建立起車規級的 SiC MOS 模塊工廠。截至目前,愛仕特的SiC MOSFET獲得了多家車企近億元的訂單。

據透露,自2017年成立以來,愛仕特致力于碳化硅功率器件的研發與產業化。公司建立的車規級SiC MOS模塊專用工廠,已實現全SiC MOS功率模塊的批量生產。

參考來源: 深圳愛仕特科技有限公司

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