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中山大學(xué)裴艷麗:基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測(cè)器件研究

發(fā)表于:2023-08-03 來(lái)源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng) 編輯:

一種能夠在日光下工作而不受可見(jiàn)光干擾的紫外光探測(cè)器。日盲紫外探測(cè)器對(duì)可見(jiàn)光具有很低的響應(yīng),在環(huán)境監(jiān)測(cè)、太陽(yáng)輻射測(cè)量、航天科學(xué)、太陽(yáng)能電池優(yōu)化和軍事應(yīng)用等領(lǐng)域都有重要的應(yīng)用。由于紫外光在很多領(lǐng)域中具有重要的研究和應(yīng)用價(jià)值,日盲紫外探測(cè)器的發(fā)展對(duì)于提高測(cè)量的精確性和可靠性具有重要意義。

近日,“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.casmita.com)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦,西安電子科技大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會(huì)、全國(guó)半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)教融合(東莞)職業(yè)教育集團(tuán)聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

裴艷麗

期間,“平行論壇2:光電子器件及應(yīng)用”上,中山大學(xué)教授裴艷麗帶來(lái)了“基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測(cè)器件研究”的主題報(bào)告,日盲紫外探測(cè)器在軍事和民用領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用,選擇合適的材料是實(shí)現(xiàn)日盲特性的關(guān)鍵之一。氧化鎵(Ga2O3)的禁帶寬度可高達(dá)5eV,作為超寬帶隙半導(dǎo)體材料,無(wú)需進(jìn)行能帶調(diào)控,即可進(jìn)行日盲紫外波段的探測(cè),加之優(yōu)異的化學(xué)、物理性質(zhì)使得氧化鎵材料成為研制日盲紫外探測(cè)器的天然材料,無(wú)論國(guó)防還是民用領(lǐng)域都有著急切需求。

氧化鎵擁有五種同分異構(gòu)體,分別為α, β, γ, δ, 和 ε。相比于穩(wěn)定的β相氧化鎵,其中具有正交結(jié)構(gòu)的ε相氧化鎵晶體對(duì)稱性更好,可以在商用襯底如SiC、GaN、藍(lán)寶石等單晶襯底上進(jìn)行大面積異質(zhì)外延,降低氧化鎵基紫外探測(cè)器的成本,并且有望通過(guò)與GaN, AlN等相結(jié)合構(gòu)建高性能日盲紫外探測(cè)器。同時(shí),ε氧化鎵是一種鐵電半導(dǎo)體,具有非常強(qiáng)的自發(fā)極化,這也將為新型日盲紫外探測(cè)器的設(shè)計(jì)提供新思路。目前,ε氧化鎵的高質(zhì)量制備和探測(cè)器應(yīng)用研究尚不成熟。

研究基于MOCVD的方法在藍(lán)寶石襯底上制備高質(zhì)量的ε氧化鎵,研究制備工藝、后退火,以及F離子表面處理等多種手段對(duì)ε氧化鎵日盲紫外探測(cè)性能的影響,揭示外延層缺陷、器件表面特性等影響探測(cè)性能的機(jī)制,為ε氧化鎵基日盲紫外探測(cè)器的發(fā)展提供實(shí)驗(yàn)和理論支撐。

研究采用兩步法MOCVD外延了ε氧化鎵,并對(duì)比了H2ON2O作為氧源對(duì)紫外探測(cè)性能的影響。XRD、AFM、CL等手段分析表明,H2O作為氧源可提高結(jié)晶質(zhì)量,降低缺陷密度,并獲得了光暗電流比(PDCR)為1.0×103,響應(yīng)上升時(shí)間0.55 s, 衰減時(shí)間為0.58 s/3.14s的紫外探測(cè)性能。700度以上高溫后退火,發(fā)生相轉(zhuǎn)變,探測(cè)器性能劣化。低溫退火可有效的消除氧空位等點(diǎn)缺陷,降低暗電流,改善光暗電流比和響應(yīng)時(shí)間特性。經(jīng)過(guò)640度退火的日盲紫外探測(cè)器,暗電流降低至0.069pA,拒絕比(Rpeak/R400)達(dá)到2.4×104, 光暗電流比達(dá)到3×105F表面處理在表面引入二維電子氣,改善探測(cè)器歐姆接觸特性,同時(shí)表面的電子勢(shì)井,改善器件的響應(yīng)時(shí)間,顯著增加探測(cè)靈敏度和提高增益。

CASICON 系列活動(dòng)簡(jiǎn)介

?“先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大會(huì)(CASICON)”由【極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)】主辦,每年在全國(guó)巡回舉辦的行業(yè)綜合活動(dòng)。活動(dòng)聚焦先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點(diǎn),聚合產(chǎn)業(yè)相關(guān)各方訴求,通過(guò)“主題會(huì)議+項(xiàng)目路演+展覽”的形式,促進(jìn)參與各方交流合作,積極推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。CASICON 系列活動(dòng)將以助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)為己任,聯(lián)合實(shí)力資源,持續(xù)輸出高質(zhì)量的活動(dòng)內(nèi)容,搭建更好的交流平臺(tái),為產(chǎn)業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)應(yīng)盡的力量。

(備注:以上信息僅根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)整理未經(jīng)嘉賓本人確認(rèn),僅供參考!)

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