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碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有諸多優(yōu)勢，碳化硅電力電子器件優(yōu)異的高效、高壓、高溫和高頻特性，使其在家用電器、電機節(jié)能、電動汽車、智能電網(wǎng)、航天航空、石油勘探、自動化、雷達(dá)與通信等領(lǐng)域有很大應(yīng)用潛力。隨著碳化硅電力電子器件技術(shù)的進(jìn)步及產(chǎn)業(yè)化，將在高壓電力系統(tǒng)等領(lǐng)域開辟全新應(yīng)用，迎來新的發(fā)展機遇。

第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）將于2023年11月27-30日在廈門國際會議中心召開。本屆論壇由廈門市人民政府、廈門大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）主辦，廈門市工業(yè)和信息化局、廈門市科學(xué)技術(shù)局、廈門火炬高新區(qū)管委會、惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。本屆論壇除了重量級開、閉幕大會，設(shè)有七大主題技術(shù)分會，以及多場產(chǎn)業(yè)峰會，將匯聚全球頂級精英，全面聚焦半導(dǎo)體照明及第三代半導(dǎo)體熱門領(lǐng)域技術(shù)前沿及應(yīng)用進(jìn)展。

目前，作為IFWS的重要分會之一的“碳化功率器件及其封裝技術(shù)分會“日程出爐，本屆分會得到了三安光電股份有限公司、廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司、 清軟微視（杭州）科技有限公司、九峰山實驗室、德國愛思強股份有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、江蘇博睿光電股份有限公司、哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司、上海瞻芯電子科技有限公司、清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司的協(xié)辦支持。分會上，來自北卡羅來納州立大學(xué)、日本大阪大學(xué)、西安交通大學(xué)、浙江大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、山東大學(xué)、湖南大學(xué)、廈門大學(xué)、天津工業(yè)大學(xué)、桂林電子科技大學(xué)、中國電子科技集團(tuán)第五十五所、湖北九峰山實驗室、、中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所、北京智慧能源研究院懷柔實驗室、三安光電、上海瞻芯電子、德國賀利氏電子、北方華創(chuàng)、華為數(shù)字能源、博睿光電等國內(nèi)外實力派科研院所及企業(yè)代表性力量齊聚，共同探討碳化功率器件及其封裝技術(shù)前沿發(fā)展趨勢及最新動向。

分會日程詳情如下

技術(shù)分論壇：碳化功率器件及其封裝技術(shù) Technical?Sub-Forum:?Technologies for SiC Power Electronics Devices and Packaging
時間：2023年11月29日13:30-17:30、11月30日08:30-12:00 地點：廈門國際會議中心酒店?? 白鷺廳 Time: Nov 29, 13:30-17:30?& Nov 29th,?08:25-12:00 Location:?Xiamen International Conference Center ? Egret Hall
協(xié)辦支持/Co-organizer: 三安半導(dǎo)體?San'an Co.,ltd 廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司??NAURA Technology Group Co., Ltd.? 賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation 清軟微視（杭州）科技有限公司 ???T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd.? 九峰山實驗室??JFS Laboratory 德國愛思強股份有限公司??AIXTRON 河北普興電子科技股份有限公司 ?HEBEIPOSHINGELECTRONICSTECHNOLOGYCO,LTD. 江蘇博睿光電股份有限公司??Jiangsu Bree Optronics Co.,Ltd. 哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司 KY Semiconductor, Inc 上海瞻芯電子科技有限公司 InventChip Technology Co., Ltd. 清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司 SiChain Semiconductor (Ningbo) Co., Ltd
主持人 Moderator	盛況?/ SHENG Kuang 浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授 Professor & Dean College of Electrical Engineering, Zhejiang?University 張清純?/ Jon ZHANG 復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任、特聘教授 Director and Distinguished Professor Center for Shanghai Silicon Carbide POWER Devices Engineering & Technology Research, Fudan University
13:25-13:30 ????	嘉賓致辭/VIP Address
13:30-13:55	SiC chip cost, impact of defects, and the case of price parity with Si at the system level Victor Valiads--Power Amarica 首席技術(shù)官、北卡羅來納州立大學(xué)教授 Victor Veliadis--Executive?Director & CTO, PowerAmerica Professor of North Carolina State?University
13:55-14:15	提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面優(yōu)化途徑 Surface Optimization Approaches for Improving the Reliability of SiC MOS Devices 王德君--大連理工大學(xué)教授 Wang Dejun--Professor of Dalian University of Technology
14:15-14:35	產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能 How vertical integration empower the SiC power device foundry? 葉念慈--三安半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān) ?Nien-Tze Yeh--Director of Technology Development ,Sanan Semiconductor
14:35-14:55	碳化硅車載功率轉(zhuǎn)換解決方案 SiC Power Conversion Solutions in xEV 曹峻--上海瞻芯電子科技有限公司副總經(jīng)理 ? CAO JUN--Vice President of InventChip Technology Co., Ltd.
14:55-15:10	750V SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)對器件特性的影響研究 Research of Cell Topology on Characteristics of 750V SiC MOSFETs 黃潤華--中國電子科技集團(tuán)第五十五所研究所副主任設(shè)計師 HUANG Runhua--Nanjing elctronics institute
15:10-15:25	茶歇 / Coffee Break
15:25-15:45	SiC功率模塊中微米級Ag燒結(jié)連接技術(shù)的進(jìn)展 Progress of micron-sized Ag sinter joining technology in SiC power modules 陳傳彤--日本大阪大學(xué)副教授 Chuantong CHEN--Associate professor of Osaka University, Japan
15:45-16:05	碳化硅功率半導(dǎo)體多芯片封裝技術(shù)Packaging Technology for Multichip SiC Devices?王來利 西安交通大學(xué)紹興市通越寬禁帶半導(dǎo)體研究院院長、教授 WANG Laili ?Professor of Xi'an Jiaotong University
16:05-16:25	先進(jìn)燒結(jié)解決方案 Advanced Sinter Solutions from Heraeus Electronics 董?侃--德國賀利氏電子功率市場經(jīng)理 Derek DONG--Power Electronics Market Manager of Heraeus Electronics
16:25-16:45	新型碳化硅溝槽器件技術(shù)研究進(jìn)展 Progress on the Research of next Generation Silicon Carbide Trench Power device 袁俊—湖北九峰山實驗室功率器件負(fù)責(zé)人 YUAN Jun--Head of Power Device of Hubei Jiufengshan Laboratory
16:45-17:05	面向SiC功率器件的裝備與工藝解決方案 Equipment and Process Solutions for SiC Power Devices 張軼銘--北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 ZHANG Yiming --R&D Manager of?NAURA Technology Group Co., Ltd.?
17:05-17:20	具有分離保護(hù)溝槽柵的超低導(dǎo)通電阻SiC LDMOS和Trench RESURF技術(shù) Ultra-Low On-Resistance SiC LDMOS With Separated-Protected Trench Gates and Trench RESURF Technology 張鑾喜--浙江大學(xué) Zhang Jianxi--Zhejiang University ??
17:20-17:35	1200-V SiC MOSFET在不同總電離劑量下的退化與恢復(fù)The Degradation and Recovery of 1200-V SiC MOSFET with Different Total Ionizing Doses 張園覽--復(fù)旦大學(xué) ZHANG Yuanlan--Fudan University
17:35-17:50	總電離劑量輻射對1200V溝道型SiC功率MOSFET雪崩穩(wěn)定性的影響Total Ionizing Dose Radiation Effect on Avalanche Robustness of 1200V Trench-type SiC power MOSFETs 陳家祺--湖南大學(xué) CHEN Jiaqi--Hunan University
17:50-18:05	一種新型短超結(jié)碳化硅絕緣柵雙極晶體管A Novel Silicon Carbide Insulated Gate Bipolar Transistor with Short Super Junction 張國良--廈門大學(xué) ZHANG Guoliang--Xiamen University
30日 / Nov 30
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協(xié)辦支持/Co-organizer: 三安半導(dǎo)體?San'an Co.,ltd 廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司??NAURA Technology Group Co., Ltd.? 賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation 清軟微視（杭州）科技有限公司 ???T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd.? 九峰山實驗室??JFS Laboratory 德國愛思強股份有限公司??AIXTRON 河北普興電子科技股份有限公司 ?HEBEIPOSHINGELECTRONICSTECHNOLOGYCO,LTD. 江蘇博睿光電股份有限公司??Jiangsu Bree Optronics Co.,Ltd. 哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司 KY Semiconductor, Inc 上海瞻芯電子科技有限公司 InventChip Technology Co., Ltd. 清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司 SiChain Semiconductor (Ningbo) Co., Ltd
主持人 Moderator	盛況?/ SHENG Kuang 浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授 Professor & Dean College of Electrical Engineering, Zhejiang?University 張清純?/ Jon ZHANG 復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任、特聘教授 Director and Distinguished Professor Center for Shanghai Silicon Carbide POWER Devices Engineering & Technology Research, Fudan University 王德君/WAND Dejun 大連理工大學(xué)教授 Professor of Dalian University of Technology
08:25-08:30????	嘉賓致辭/VIP Address
08:30-08:50	新型溝槽SiC基MOSFET器件研究 Research on Novel SiC trench MOSFETs 張峰--廈門大學(xué)教授 ZHANG Feng--Professor of Xiamen University
08:50-09:10	一種用于SiC功率器件的高效復(fù)合結(jié)終端 A High Efficiency Composite Junction Termination for SiC Power Devices 金銳--北京智慧能源研究院懷柔實驗室功率半導(dǎo)體部負(fù)責(zé)人 JIN Rui--?Head of Power Semiconductor Department,?Beijing Institute of Smart Energy, Huairou Laboratory
09:10-09:30	4H-SiC高質(zhì)量柵氧氮化退火研究 Study of high-quality gate oxidation on 4H-SiC by nitride annealing 徐明升--山東大學(xué)教授 XU Mingsheng—Professor?of?Shandong University
09:30-09:45	一種用于SiC功率MOSFET的自調(diào)整消隱時間短路保護(hù)電路 A Self-Adjustable Blanking Time Short Circuit Protection Circuit for SiC Power MOSFETs 劉天天--中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 LIU Tiantian--Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology
09:50-10:05	1200V平面SiC MOSFET短路魯棒性的結(jié)構(gòu)分析Structure Analysis on the Short-circuit Robustness for 1200V Planar SiC MOSFETs ? 常一飛 ?復(fù)旦大學(xué) CHANG Yifei ?Fudan university
10:05-10:20	茶歇 /?Coffee Break
10:20-10:40	TBD 徐菊 ?華為數(shù)字能源電子裝聯(lián)Lab主任 XU Ju ?Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.
10:40-11:00	SiC功率器件板級封裝的熱和熱-機械可靠性協(xié)同設(shè)計 Thermal and Thermal-Mechanical Oriented Reliability Co-design of SiC Power Device Panel-level Packaging 樊嘉杰--復(fù)旦大學(xué)青年研究員 Jiajie FAN--Youth Researcher of?Fudan University
11:00-11:20	面向功率器件封裝的高性能AlN陶瓷材料研究 Development of high performance AlN ceramic for multiply appliation 梁超--江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理 LIANG Chao--?Deputy General Manager of Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd
11:20-11:40	基于納米銀焊膏的碳化硅器件高散熱封裝互連方法研究 Development nano-silver paste for high heat dissipation packaging of SiC devices 張博雯 天津工業(yè)大學(xué)副教授 ZHANG Bowen ?Associate?Professor of Tiangong University
11:40:11:55	基于頻域阻抗分析的碳化硅及氮化鎵功率器件失效檢測方法研究 Research on Failure Detection Method for SiC and GaN Power Devices based on Frequency Domain Impedance Analysis 贠明輝--桂林電子科技大學(xué) ? YUN Minghui--Guilin University of Electronic Technology
?	午休
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??（備注：本場會議日程仍在調(diào)整中，僅供參考，最終以現(xiàn)場為準(zhǔn)！）??

部分嘉賓

盛況

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授

盛況，浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授。長期從事硅基和寬禁帶電力電子芯片、封裝及應(yīng)用研究，包括芯片設(shè)計與工藝、器件封裝與測試以及在智能電網(wǎng)、軌道交通、新能源汽車、工業(yè)電機、各類電源等領(lǐng)域中的應(yīng)用，2009年回國創(chuàng)建浙江大學(xué)電力電子器件實驗室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是國內(nèi)較早開展碳化硅和氮化鎵電力電子器件研發(fā)的團(tuán)隊。?團(tuán)隊承擔(dān)了電力電子器件及應(yīng)用領(lǐng)域的多個國家級、省部級和橫向合作項目，包括國家重大科技專項、國家863主題項目及課題、國家重點研發(fā)計劃項目及課題、自然科學(xué)基金委杰出青年基金、自然科學(xué)基金委重點項目等十余項，在器件理論、芯片研制、器件封測和應(yīng)用方面取得了一些成果，包括最早報道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在國內(nèi)較早自主研制出了系列SiC芯片和模塊（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出溝槽型超級結(jié)SiC肖特基二極管設(shè)計方法并報道了1300V（不包括襯底0.36 mΩ?cm2，品質(zhì)因子FOM達(dá)國際前列）SiC超級結(jié)二極管、提出新型垂直型氮化鎵晶體管結(jié)構(gòu)并報道了FOM處國際前列的芯片、基于新型單驅(qū)動方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并聯(lián)模塊、首款10kVA基于全碳化硅器件的高壓電力電子變壓器、合作開發(fā)了高壓大容量硅基IGBT芯片等。團(tuán)隊也和國內(nèi)外著名企業(yè)開展合作推進(jìn)成果的產(chǎn)業(yè)化，合作企業(yè)包括國家電網(wǎng)、中車、中電集團(tuán)、華為、華潤微電子、臺達(dá)、德國英飛凌、美國福特等公司，實現(xiàn)了碳化硅和硅基電力電子芯片的產(chǎn)業(yè)化。

張清純

復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任、特聘教授

張清純，復(fù)旦大學(xué)上海碳化硅功率器件工程技術(shù)研究中心主任、特聘教授。長期從事SiC器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。迄今撰寫過100余篇科技論文和SiC器件領(lǐng)域?qū)Ｖ蛔鳛榈谝缓秃献靼l(fā)明人，擁有75多項美國專利；多次擔(dān)任ISPSD技術(shù)委員會成員和碳化硅器件分會主席；曾任國際電力電子技術(shù)路線圖研討會聯(lián)合主席等。研究方向：半導(dǎo)體物理與器件；寬帶半導(dǎo)體器件物理、工藝、測試、產(chǎn)業(yè)化及應(yīng)用；器件模擬及仿真；電力系統(tǒng)。

Victor Valiads

Power Amarica 首席技術(shù)官、北卡羅來納州立大學(xué)教授

Victor Valiads，Power Amarica 首席技術(shù)官、北卡羅來納州立大學(xué)教授。美國電力是美國能源部寬禁帶電力電子公私合營制造機構(gòu)。Veliadis博士管理著超過3000萬美元每年的預(yù)算，他戰(zhàn)略性地分配了超過35個工業(yè)、大學(xué)和國家實驗室項目，以使美國在寬禁帶電力電子制造，勞動力發(fā)展，創(chuàng)造就業(yè)和節(jié)約能源方面處于領(lǐng)先地位。Victor VELIADIS博士在2016年被任命為Power America的副執(zhí)行董事兼首席技術(shù)官之前，Veliadis博士在半導(dǎo)體行業(yè)工作了21年，他的工作內(nèi)容包括SiC SIT、JFET、MOSFET、半導(dǎo)體閘流管、JBS、肖特基二極管、和1-12 kV范圍內(nèi)的PiN二極管的設(shè)計、制造和測試。

陳傳彤

日本大阪大學(xué)副教授

陳傳彤，日本大阪大學(xué)副教授。研究興趣包括無鉛焊接、Ag燒結(jié)連接、納米連接、3D封裝和電力電子封裝。在上述領(lǐng)域發(fā)表SCI期刊論文110余篇，IEEE會議論文70余篇。陳教授獲得了一些獎項和榮譽，包括IEEE EMPC最佳海報獎、2023年IEEE ICEP杰出技術(shù)論文獎和2019年IEEE CPMT日本分會青年獎。他還申請并獲得了15項日本和國際專利，其中包括3項美國專利。陳教授自2020年起擔(dān)任IEEE ICEPT的技術(shù)委員會成員，并擔(dān)任日本電子封裝學(xué)會關(guān)西分會的委員會成員。

王德君

大連理工大學(xué)教授

王德君，大連理工大學(xué)教授。研究方向涉及三代半導(dǎo)體SiC電子器件制造測試技術(shù)及裝備； SiC半導(dǎo)體缺陷物理學(xué)；集成電路技術(shù)。技術(shù)領(lǐng)域涉及SiC MOS器件柵氧可靠性分析測試技術(shù)；SiC MOS器件柵氧可靠性制造技術(shù)及裝備；SiC半導(dǎo)體表面干法清洗技術(shù)及裝備。

黃潤華

中國電子科技集團(tuán)第五十五所研究所副主任設(shè)計師

黃潤華，中國電子科技集團(tuán)第五十五所研究所副主任設(shè)計師。多年來一直從事高壓大功率碳化硅功率器件研制開發(fā)工作。承擔(dān)了多項科研任務(wù)，江蘇省重點研發(fā)計劃、預(yù)研、型譜、新品、基金等項目負(fù)責(zé)人。江蘇省“333”高層次人才，CASA三代半導(dǎo)體卓越新青年。獲國防科技進(jìn)步二等獎、電工技術(shù)學(xué)會科學(xué)技術(shù)發(fā)明獎一等獎、北京市科學(xué)技術(shù)獎二等獎、電子學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎三等獎等獎項，主要從事SiC相關(guān)的器件設(shè)計、關(guān)鍵工藝開發(fā)及工藝整合、器件測試及可靠性評估工作。開發(fā)出650V-6500V/25mΩ-1000mΩ SiC MOSFET和650V-6500V/1A-100A SiC SBD產(chǎn)品技術(shù)。

王來利

西安交通大學(xué)紹興市通越寬禁帶半導(dǎo)體研究院院長、教授

王來利，西安交通大學(xué)紹興市通越寬禁帶半導(dǎo)體研究院院長、教授。主要研究電力電子集成技術(shù)；2013年7月，被皇后大學(xué)特聘為研究員；2014年1月起，進(jìn)入加拿大勝美達(dá)科技；2017年3月，全職回到西安交通大學(xué)。研究領(lǐng)域或方向包括：寬禁帶功率半導(dǎo)體器件封裝集成及其應(yīng)用；高頻高效高溫電力電子變換技術(shù)；智能化檢測器件與檢測方法；無線電能傳輸。

葉念慈

三安半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)

葉念慈，三安半導(dǎo)體技術(shù)總監(jiān)。專長于化合物半導(dǎo)體器件的制作與設(shè)計, 特別是在化合物半導(dǎo)體外延包括有機金屬氣相沉積與分子束外延已有20 年以上之經(jīng)驗。另外光電器件設(shè)計制作、半導(dǎo)體器件制造也是其專業(yè)知識技能。其在臺灣中華電信股份有限公司電信研究所擔(dān)任過研究員，并在臺灣專業(yè)氮化鎵化合物半導(dǎo)體公司及其它半導(dǎo)體單位擔(dān)任首席技術(shù)與研發(fā)管理崗位。其在臺灣中央大學(xué)任職教授級特殊技術(shù)人員期間, 負(fù)責(zé)建立和運作先進(jìn)電力電子實驗室。2016 年2 月1 日被授予“廈門市臺灣特聘專家”榮譽稱號。

樊嘉杰

復(fù)旦大學(xué)青年研究員

樊嘉杰，復(fù)旦大學(xué)青年研究員。博士生導(dǎo)師。香港理工大學(xué)和美國馬里蘭大學(xué)聯(lián)合培養(yǎng)博士，荷蘭代爾夫特理工大學(xué)博士后/CSC公派訪問學(xué)者/客座研究員。主要研究方向第三代半導(dǎo)體封裝及可靠性。獲全國“第三代半導(dǎo)體卓越創(chuàng)新青年”稱號、入選江蘇省科協(xié)“青年科技人才托舉工程”、江蘇省第十五批“六大人才高峰”高層次人才等。

梁超

江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理

梁超，江蘇博睿光電股份有限公司副總經(jīng)理，博士，研究員高工。先后入選“江蘇省333高層次人才培養(yǎng)工程”、江蘇省六大人才高峰、“千百十”計劃高層次創(chuàng)新領(lǐng)軍人才；獲江蘇省科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎1項、南京市科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎1項等。主要研究方向第三代半導(dǎo)體光電材料，在發(fā)光材料方向開發(fā)出LED用高性能鋁酸鹽、硅酸鹽體系多個色系熒光粉，為高光品質(zhì)照明、全光譜照明整體解決方案提供支撐；研究并開發(fā)出具有高導(dǎo)熱系數(shù)的AlN陶瓷基板及配套關(guān)鍵技術(shù)。共申請發(fā)明專利68件，授權(quán)發(fā)明專利54件（3件PCT專利分別于美國、韓國獲得授權(quán)），發(fā)表SCI收錄論文7篇，EI收錄論文6篇。

董侃

德國賀利氏電子功率市場經(jīng)理

董侃，德國賀利氏電子功率市場經(jīng)理。近二十年跨國公司從業(yè)經(jīng)歷，深耕電子及半導(dǎo)體行業(yè)，多年消費電子，汽車電子及功率電子的Marketing經(jīng)驗，熟悉行業(yè)發(fā)展趨勢。

曹峻

上海瞻芯電子科技有限公司副總經(jīng)理

曹峻，上海瞻芯電子科技有限公司副總經(jīng)理。主要分管公司市場推廣，現(xiàn)場應(yīng)用支持和銷售服務(wù)。逾20年半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)、市場和銷售管理經(jīng)驗，服務(wù)過多家晶圓廠和芯片設(shè)計公司。善于從半導(dǎo)體材料特性、工藝器件平臺開發(fā)、芯片設(shè)計和封裝設(shè)計，以及電力電子拓?fù)鋱D等多維度多領(lǐng)域，分析和研究碳化硅功率器件的新興市場與應(yīng)用。

張峰

廈門大學(xué)教授

張峰，廈門大學(xué)教授，博士生導(dǎo)師、國家青年“973”計劃首席科學(xué)家。從事寬禁帶半導(dǎo)體SiC材料與器件研究工作并取得系統(tǒng)性研究成果：率先研制10kV p溝道SiC IGBT器件，成功研制工業(yè)化1200V/60 mΩ和80 mΩ SiC MOSFET功率器件。國際上率先將1200V SiC肖特基二極管其應(yīng)用到電動汽車充電樁中。同時，圍繞寬禁帶半導(dǎo)體光電探測器及單光子探測器的基本科學(xué)問題，研究提高探測器量子效率的物理機理與規(guī)律。先后獲中國科學(xué)院青年創(chuàng)新促進(jìn)會優(yōu)秀會員、第三代半導(dǎo)體卓越創(chuàng)新青年、福建省杰出青年科學(xué)基金等獎勵和榮譽。

徐明升

山東大學(xué)教授

袁俊

湖北九峰山實驗室功率器件負(fù)責(zé)人

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張軼銘

北方華創(chuàng)科技集團(tuán)股份有限公司博士

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金銳

北京智慧能源研究院懷柔實驗室功率半導(dǎo)體部負(fù)責(zé)人

附論壇詳細(xì)信息：

會議時間 : 2023年11月27-30日

會議地點 :中國· 福建 ·廈門國際會議中心

主辦單位：

廈門市人民政府

廈門大學(xué)

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）

中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）

承辦單位：

廈門市工業(yè)和信息化局

廈門市科學(xué)技術(shù)局

廈門火炬高新區(qū)管委會

惠新(廈門)科技創(chuàng)新研究院

北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

論壇主題：低碳智聯(lián)· 同芯共贏

程序委員會 ：

程序委員會主席團(tuán)

主席：

張? ?榮--廈門大學(xué)黨委書記、教授

聯(lián)合主席：

劉? ?明--中國科學(xué)院院士、中國科學(xué)院微電子研究所所研究員

顧? ?瑛--中國科學(xué)院院士、解放軍總醫(yī)院教授

江風(fēng)益--中國科學(xué)院院士、南昌大學(xué)副校長、教授

李晉閩--中國科學(xué)院特聘研究員

張國義--北京大學(xué)東莞光電研究院常務(wù)副院長、教授

沈? ?波--北京大學(xué)理學(xué)部副主任、教授

徐? ?科--江蘇第三代半導(dǎo)體研究院院長、中科院蘇州納米所副所長、研究員

邱宇峰--廈門大學(xué)講座教授、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原副院長

盛? ?況--浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院院長、教授

張? ?波--電子科技大學(xué)教授

陳? ?敬--香港科技大學(xué)教授

徐現(xiàn)剛--山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院院長、教授

吳偉東--加拿大多倫多大學(xué)教授

張國旗--荷蘭工程院院士、荷蘭代爾夫特理工大學(xué)教授

Victor Veliadis--PowerAmerica首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、美國北卡羅萊納州立大學(xué)教授

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