天眼查顯示，清純半導體（寧波）有限公司“半導體功率器件及其制備方法”專利公布，申請公布日為2024年6月28日，申請公布號為CN118263325A。

本發明提供一種半導體功率器件及其制備方法，半導體功率器件包括：半導體襯底層；位于所述半導體襯底層一側的漂移層；位于所述漂移層中的柵極結構；阱區，分別位于所述柵極結構兩側的漂移層中；在所述漂移層中圍繞所述柵極結構的底面和部分側壁的保護單元；所述保護單元包括：第一摻雜保護層，位于所述柵極結構部分底部的漂移層中；第二摻雜保護層，位于所述柵極結構的部分側壁和部分底部的漂移層中，所述第一摻雜保護層的導電類型和所述阱區的導電類型相同且和所述第二摻雜保護層的導電類型相反，所述第二摻雜保護層的摻雜濃度大于所述漂移層的摻雜濃度，所述第二摻雜保護層和所述第一摻雜保護層構成PN結。提高了對柵介質層的保護。