2024年8月8日，按照第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會（CASAS）相關管理辦法，經CASAS管理委員會投票通過1項GaN HEMT測試方面的團體標準立項建議，詳細信息如下：

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秘書處將向CASAS正式成員發(fā)出征集起草單位的通知，組建標準起草小組，請CASAS正式成員關注秘書處郵件（casas@casa-china.cn）。

T/CASAS 052—202X GaN HEMT非鉗位感性負載開關魯棒性測試方法采用UIS應力與原位在線測量方法，將UIS測試電路和雙脈沖(DPT)測試電路合并到同一電路中，并利用兩個開關分別控制UIS支路和DPT支路。在UIS測試階段，UIS支路通過函數發(fā)生器控制被測器件的導通與關斷，當被測器件導通時，通過改變柵極脈沖寬度來改變支路導通時的電感儲存能量，隨后器件關斷并發(fā)生UIS過程，電感中的能量在器件漏-源極間產生電壓應力。該電壓應力結束后，經過一個可以調節(jié)的恢復時間,電路進入DPT測試階段，完成UIS后動器件態(tài)導通電阻測試。此方法用于測試GN HEMT器件在UIS電壓應力后動態(tài)導通電阻和器件電流的變化，可以在施加應力后的給定時間段內測量器件的時變特性。這對于揭示GaN HEMT器件在UIS過程后特性變化背后的器件退化或失效機理，特別是陷阱對電子和空穴俘獲隨時間變化的規(guī)律具有重要意義。

（來源：第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟）