9月8日消息，天眼查知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息顯示，河北同光半導(dǎo)體股份有限公司取得一項(xiàng)名為“一種低包裹物密度SiC晶體的生長(zhǎng)裝置及生長(zhǎng)方法“，授權(quán)公告號(hào)CN117737858B，申請(qǐng)日期為2024年2月。

專利摘要顯示，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N低包裹物密度SiC晶體的生長(zhǎng)裝置及生長(zhǎng)方法，屬于晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域。該生長(zhǎng)裝置，包括：籽晶固定件、籽晶、石墨坩堝、感應(yīng)線圈、保溫組件和耐腐蝕過濾組件；SiC粉料置于石墨坩堝底部；耐腐蝕過濾組件置于石墨坩堝內(nèi)，并置于SiC粉料上方；耐腐蝕過濾組件為平頂金字塔結(jié)構(gòu)，包括多層微孔TiC環(huán)和設(shè)置于頂層的微孔TiC板；其中，下層微孔TiC環(huán)內(nèi)徑和外徑大于上層，且下層微孔TiC環(huán)內(nèi)徑小于或等于上層外徑；微孔TiC環(huán)和微孔TiC板經(jīng)碳化工藝碳化處理獲得。本申請(qǐng)平頂金字塔狀的耐腐蝕過濾組件能夠?qū)崿F(xiàn)料區(qū)向上輸運(yùn)氣態(tài)組分中C顆粒的完全過濾，同時(shí)，實(shí)現(xiàn)調(diào)控氣態(tài)SiC組分的輸運(yùn)方向，實(shí)現(xiàn)將源于生長(zhǎng)區(qū)石墨件腐蝕引起的包裹物分布控制在晶體邊緣。