株洲中車時代半導(dǎo)體有限公司發(fā)生工商變更,新增國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司
中科飛測擬投資14.81億元用于高端半導(dǎo)體項目
賽微電子(SZ 300456)12月6日午間發(fā)布公告,為避免相關(guān)信息對廣大投資者造成誤導(dǎo),現(xiàn)予以澄清說明。
2025年4月23-25日,九峰山論壇將在武漢光谷科技會展中心再次啟航,現(xiàn)誠摯邀請全球化合物半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的專家學(xué)者、行業(yè)領(lǐng)航者及創(chuàng)新先鋒蒞臨盛會,發(fā)表精彩演講,共享智慧火花,攜手點亮化合物半導(dǎo)體行業(yè)的輝煌未來。
期間,“超寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù) I”分會上,深圳平湖實驗室第四代半導(dǎo)體首席科學(xué)家、新加坡工程院院士張道華做了“超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究”的主題報告,討論超寬帶隙半導(dǎo)體的研究狀況和主要問題,分享了實驗室團隊近來在氧化鎵和氮化鋁的理論研究和材料表征等方面所做的工作。
清華大學(xué)羅毅院士課題組與安徽格恩半導(dǎo)體有限公司合作,通過深入研究GaN同質(zhì)外延過程中的位錯控制、InGan/GaN多量子阱的應(yīng)力調(diào)控以及腔面鍍膜技術(shù),制備了高效的GaN藍光激光二極管。
“第三代半導(dǎo)體標準與檢測研討會”上,嘉賓們齊聚共同探討第三代半導(dǎo)體標準與檢測相關(guān)的最新進展。
期間,“碳化硅襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)”分會上,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司工藝主任工程師陳丹瑩做了“PRISMO PDS8 – 用于SiC功率器件外延生長的CVD設(shè)備”的主題報告,分享了基于CFD模擬的SiC刀具設(shè)計優(yōu)化、AMEC PRISMO PDS8 SiC外延工藝結(jié)果等內(nèi)容。
荷蘭半導(dǎo)體企業(yè)恩智浦 NXP 與臺灣地區(qū)特殊制程代工廠商世界先進 VIS 雙方合資(股權(quán)比例為 4:6)公司 VSMC 今日在新加坡淡濱尼舉行其首座晶圓廠的動土典禮。
一名三星電子前工程師因涉嫌挖角三星的半導(dǎo)體核心技術(shù)人才,加上向中國公司泄漏20納米DRAM內(nèi)存芯片技術(shù),遭逮捕并移送檢方。
“化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù)及應(yīng)用”分會上,嘉賓們齊聚,共同探討化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù)及應(yīng)用進展與趨勢。
受外部客觀因素影響,公司合肥項目已停止推進。
功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)解決方案創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者「忱芯科技(UniSiC)」近日宣布完成2億元戰(zhàn)略融資
12月3日,中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會、中國汽車工業(yè)協(xié)會、中國通信企業(yè)協(xié)會、,中國互聯(lián)網(wǎng)協(xié)會等多個行業(yè)協(xié)會發(fā)布聲明:美國芯片產(chǎn)品不再安全、不再可靠,中國相關(guān)行業(yè)將不得不謹慎采購美國芯片。
商務(wù)部新聞發(fā)言人2日表示,中方注意到,美方發(fā)布了對華半導(dǎo)體出口管制措施。該措施進一步加嚴對半導(dǎo)體制造設(shè)備、存儲芯片等物項
中國光谷國際化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(CSE2025)將于2025年4月在武漢再次啟幕
加入頂流,成為頂流——化合物半導(dǎo)體產(chǎn)/學(xué)/研/用各大領(lǐng)域邀請報告征集和邀約正式啟動!
在第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十一屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇重要產(chǎn)業(yè)峰會上,眾多專家學(xué)者齊聚探討Mini/Micro-LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用最新趨勢。
“氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會”上,深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司、國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO 許明偉做了“FLAB:特色射頻半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新模式探索”的主題報告,分享了國家5G中高頻器件創(chuàng)新中心FLAB三代特色半導(dǎo)體工藝技術(shù)創(chuàng)新的新模式,包括硬件建設(shè)、軟件建設(shè)、開發(fā)體系、技術(shù)路線等。
芯航同方科技(江蘇)有限公司正式開業(yè),標志著芯航在半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)向高端化、國產(chǎn)化方向邁出重要一步,為京口區(qū)新材料產(chǎn)業(yè)注入更多發(fā)展動能。
最新新聞
- 1
IFWS 2022前瞻:超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件技術(shù)分會日程公布
- 2
眾星云集!化合物半導(dǎo)體激光器技術(shù)分論壇最新日程出爐——IFWS&SSLCHINA2022前瞻
- 3
IFWS 2022前瞻:氮化物襯底材料生長與外延技術(shù)分會日程出爐
- 4
27位演講嘉賓公布!2024功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議4月26-28日成都見!
- 5
濟南寬禁帶半導(dǎo)體小鎮(zhèn)一期項目基本完成 未來將形成千億級產(chǎn)業(yè)集群
- 6
第三代半導(dǎo)體六英寸氮化鎵項目落戶廣西桂林
- 7
總投資30億美元,梧升半導(dǎo)體IDM項目簽約
- 8
泉州半導(dǎo)體高新區(qū)全力推動園區(qū)高質(zhì)量發(fā)展
- 9
第三屆紫外LED國際會議將于11月14-16日在山西長治召開
最新政策
- 1
北京市科學(xué)技術(shù)委員會、中關(guān)村科技園區(qū)管理委員會關(guān)于印發(fā) 《北京市技術(shù)轉(zhuǎn)移機構(gòu)及技術(shù)經(jīng)理人登記辦法》的通知
- 2
財政部 稅務(wù)總局 科技部關(guān)于加大支持科技創(chuàng)新稅前扣除力度的公告
- 3
北京:發(fā)布<2023年北京市支持中小企業(yè)發(fā)展資金實施指南>的通知(征求意見稿)》公開征集意見的通知
- 4
順義區(qū)“十四五”時期科技創(chuàng)新發(fā)展規(guī)劃
- 5
專利和商標審查“十四五”規(guī)劃
- 6
國家及各省市促進科技成果轉(zhuǎn)化政策匯編
- 7
《順義區(qū)促進高端制造業(yè)和先進軟件信息業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的扶持辦法》重磅發(fā)布
- 8
順義區(qū)創(chuàng)業(yè)搖籃計劃支持政策實施辦法
- 9
北京新政:加快推進北京專精特新專板建設(shè),推動更多優(yōu)質(zhì)項目落地