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半導體產業網消息,第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)第二十屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)將于2023年11月27-30日于廈

氧化鎵(Ga2O3)半導體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場強、可低成本制作大尺寸襯底等突出優點。有望實現更高耐壓、更低損耗、

據悉,近日,媒體從量子計算芯片安徽省重點實驗室獲悉,我國科研團隊成功研制出第一代商業級半導體量子芯片電路載板,可最大可支

新科技時代背景下,人工智能、能源環保、自動駕駛等需求驅動下,以氮化鎵、碳化硅等為代表的第三代半導體材料迎來廣闊的發展前景

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近日,TCL華星宣布與日本半導體能源研究所( Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.,SEL)簽署專利許可協議,獲得SEL在半導

8月2日,富樂德半導體產業項目傳感器子項目正式完成簽約。據悉,富樂德半導體產業項目總投資120億元,主要建設12英寸拋光片生產

近日,位于臨港新片區的積塔半導體特色工藝生產線建設項目迎來新進展,項目鋼結構順利完成首吊,預計于9月底實現全面封頂。積塔

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8月7日日,華虹半導體有限公司(股票簡稱華虹公司,下文簡稱華虹半導體)正式在科創板上市,此次上市,華虹公司將公開發行40775

中國第三代半導體功率器件領先品牌派恩杰半導體正式宣布完成新一輪戰略融資,投資方為東風汽車旗下直投平臺東風資管。

瑞森半導體進一步壯大和完善超結(SJ)MOSFET系列,推出600V超結功率MOSFET---RSF60R070F、RSF60R026W型號。2枚新品各自具備核心

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近日,2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)指導,西安交通

以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導體禁帶寬度、化學穩定性、擊穿場強等優勢,是國際半導體領域的研究熱點。其中,氧

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前不久商務部宣布對鎵、鍺相關物項實施出口管制,未經許可不得出口,從8月1日開始這個限制正式生效了。這兩種都是半導體行業中的

2023年7月26-28日,2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)指

功率與光電半導體器件的設計與集成應用在提高能源利用效率、推動通信技術進步、促進科學研究和醫療技術革新等方面發揮著至關重要

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