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近日，電科芯片所屬西南設(shè)計(jì)牽頭制定的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體集成電路-射頻發(fā)射器/接收器測(cè)試方法》正式實(shí)施。該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體集成

作為中國(guó)半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的標(biāo)桿企業(yè)，南京派格測(cè)控科技有限公司憑借其X116射頻測(cè)試機(jī)和X540毫米波測(cè)試機(jī)兩款王牌產(chǎn)品，成為展會(huì)焦點(diǎn)

近日，九峰山實(shí)驗(yàn)室科研團(tuán)隊(duì)在全球首次實(shí)現(xiàn)8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備。該成果將助力射頻前

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為工藝腔室及半導(dǎo)體工藝設(shè)備的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào) CN 119495543 A

2028 年全球移動(dòng)終端射頻前端市場(chǎng)將達(dá)到 269 億美元，年均增長(zhǎng)率約為 5.8%。

2024年光谷招商引資活力迸發(fā)，全年億元以上簽約項(xiàng)目超百個(gè)，進(jìn)展如何，向光谷人報(bào)告。敏聲打造國(guó)內(nèi)射頻MEMS頭部武漢敏聲是國(guó)內(nèi)射

當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月16日，電源、汽車(chē)和物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司宣布成立一個(gè)新的業(yè)務(wù)部門(mén)，將現(xiàn)有的傳感器和射頻（R

唐晶量子化合物半導(dǎo)體外延片研發(fā)和生產(chǎn)項(xiàng)目將扭轉(zhuǎn)化合物半導(dǎo)體激光器外延片長(zhǎng)期依賴(lài)進(jìn)口的局面，助力下游半導(dǎo)體激光器、射頻芯片等國(guó)產(chǎn)化。

“氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用分會(huì)”上，深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司、國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO 許明偉做了“FLAB：特色射頻半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新模式探索”的主題報(bào)告，分享了國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心FLAB三代特色半導(dǎo)體工藝技術(shù)創(chuàng)新的新模式，包括硬件建設(shè)、軟件建設(shè)、開(kāi)發(fā)體系、技術(shù)路線(xiàn)等。

“氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”技術(shù)分會(huì)上，香港科技大學(xué)高通光學(xué)實(shí)驗(yàn)室主任、教授、高武半導(dǎo)體（香港）有限公司創(chuàng)始人俞捷，小米通訊技術(shù)有限公司高級(jí)硬件研發(fā)工程師孫躍，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院教授、安徽云塔電子科技有限公司創(chuàng)始人左成杰，西安電子科技大學(xué)教授薛軍帥，深圳市匯芯通信技術(shù)有限公司、國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心副總經(jīng)理、CTO許明偉，蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)張新川，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連，九峰山實(shí)驗(yàn)室熊鑫，江南大學(xué)集成電路學(xué)院博士劉濤，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所張國(guó)祥等嘉賓們帶來(lái)精彩報(bào)告

西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)、教授張進(jìn)成將出席論壇，并將帶來(lái)《高功率寬禁帶半導(dǎo)體射頻器件研究進(jìn)展》的大會(huì)報(bào)告。

作為IFWS的重要技術(shù)分會(huì)之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”分會(huì)最新報(bào)告日程正式出爐！

作為IFWS的重要分會(huì)之一的“ 氮化鎵射頻電子器件與應(yīng)用”分會(huì)最新報(bào)告日程正式出爐，將有來(lái)自將有香港科技大學(xué)高通光學(xué)實(shí)驗(yàn)室、高武半導(dǎo)體，小米通訊技術(shù)，匯芯通信/國(guó)家5G中高頻器件創(chuàng)新中心，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、云塔電子，能訊高能半導(dǎo)體，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，九峰山實(shí)驗(yàn)室，江南大學(xué)，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所的專(zhuān)家們分享精彩主題報(bào)告。

據(jù)云塔科技消息，1月15日，中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)基于第三代

2023年11月28日，第九屆國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）第二十屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門(mén)國(guó)際會(huì)議中心盛大開(kāi)幕。

氮化鎵（GaN）功率器件具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗、射頻功率放大器、直流至直流（DC-DC）變換器、薄膜和二維Ga

近日，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所魏星研究員團(tuán)隊(duì)在300 mm SOI晶圓制造技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展，制備出了國(guó)內(nèi)第一片300 mm射頻（RF）

隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向其物理極限，以第三代半導(dǎo)體為代表的化合物半導(dǎo)體滿(mǎn)足光電子、微波射頻和高效功率電子等

以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等為代表的第三代先進(jìn)半導(dǎo)體器件是全球智能、綠色、可持續(xù)發(fā)展的重要支撐力量，其在光電子，射頻

隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向其物理極限，以第三代半導(dǎo)體為代表的化合物半導(dǎo)體滿(mǎn)足光電子、微波射頻和高效功率電子等