半導體產業網訊：在半導體材料領域，碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的代表，因其卓越的性能而備受關注。然而，高品質低成本
專利摘要顯示，本發明涉及 一種 8 英寸碳化硅晶圓單 面拋光方法，采用半徑小 于 8 英寸的陶瓷盤對 8 英 寸碳化硅晶圓進行單面 拋
天眼查顯示，泰科天潤半導體科技（北京）有限公司一種高可靠平面柵碳化硅VDMOS及其制備方法專利公布，申請公布日為2025年2月14日
四川普州大地城市產銀科技發展有限公司與新加坡拓譜電子公司（Singapore TOPO electronic Pte, LTD）成功簽署合作協議
三安光電表示，重慶三安的襯底產品已穩定供應安意法產線，隨著產能爬坡，成本優勢將進一步顯現。
博世汽車電子中國區（ME - CN）在蘇州五廠正式建成碳化硅（SiC）功率模塊生產基地，這一里程碑式進展標志著博世在碳化硅功率模塊生產領域邁入全新階段。
3月11日，瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲能和充電樁等應用場景，提供
3月7日，中國（福建）自由貿易試驗區廈門片區管理委員會發布消息，瀚天天成電子科技（廈門）有限公司的8英寸碳化硅外延晶片廠房
河北保定近日迎來第三代半導體產業重要突破河北同光半導體股份有限公司國家級企業技術中心正式揭牌，同時年產20萬片碳化硅單晶襯
近日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”期間，浙江大學特聘研究員、博士生導師任娜帶來”基于P型碳化硅襯底材料的結勢壘肖特基二極管“的主題報告。
近日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”在重慶山城國際會議中心盛大召開。“分論壇一：8英寸碳化硅晶圓智能制造”上，泰克科技大中華區技術總監張欣出席論壇，并帶來”從參數測試到可靠性驗證 新型功率器件的特性表征“的主題報告。
近日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”在重慶山城國際會議中心盛大召開。“分論壇一：8英寸碳化硅晶圓智能制造”上，賽邁科先進材料股份有限公司CTO、副總經理吳厚政，做了“精細石墨元件：化合物半導體高質量產業化的關鍵支撐”的主題報告。
2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇上，河南中宜創新芯發展有限公司董事長兼總經理孫毅，帶來了“碳化硅半導體粉體進展”的主題報告。
碳化硅技術賦能產業升級! 山大華天亮相2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇
國內功率半導體 IDM 企業士蘭微電子宣布，其投資 70 億元建設的廈門海滄區 8 英寸碳化硅 SiC 功率器件芯片制造生產線（一期）已
2月28日，瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產品(IV3B20023BA2)，為光伏等領域提供了高電壓、高功率密
據海滄區融媒體中心消息，士蘭微電子旗下廈門士蘭集宏半導體有限公司的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產線項目正式全面封
據海滄區融媒體中心消息，士蘭微電子旗下廈門士蘭集宏半導體有限公司的8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生產線項目正式全面封
2月27日，“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”在重慶山城國際會議中心盛大召開。28日精彩繼續，“分論壇一：8英寸碳化硅晶圓智能制造”，圍繞8英寸晶體、外延及器件技術 大規模生產制造、關鍵耗材及制造工藝優化，關鍵材料及工藝裝備、器件及可靠性設計，SiC 器件設計及產品創新應用等主題，來自產業鏈相關專家、高校科研院所及知名企業代表共同深入探討，追蹤最新進展。
半導體產業網訊：2月27日，三安光電與意法半導體在重慶合資設立的安意法半導體碳化硅晶圓廠正式通線。預計項目將在2025年四季度