5月30日,財政部發(fā)布關(guān)于印發(fā)《財政支持做好碳達峰碳中和工作的意見》的通知,《意見》明確六大支持重點方向和領(lǐng)域,包括支持構(gòu)
中國科學技術(shù)大學光學與光學工程系王亮教授課題組設(shè)計并制備的InGaAs單光子探測器芯片取得重大進展。該研究團隊通過設(shè)計金屬分布
長江存儲的NAND flash已達到全球先進水平,在技術(shù)和品質(zhì)方面都滿足了蘋果的要求,因此它已獲得了蘋果的供應商資格。從2016年成立,到如今跟上全球先進水平,僅僅花了不到6年時間,足以看出長江存儲發(fā)展之迅速。
近年來,二維層狀半導體由于其無懸掛鍵表面、原子級薄的結(jié)構(gòu)、豐富的激子類型和能谷特性以及強空間限制等優(yōu)異的化學和物理特性,
金博股份公告稱,公司于2022年5月27日與宇澤半導體(云南)有限公司簽署《戰(zhàn)略合作協(xié)議》。
據(jù)悉,近日,山西省副省長于英杰在太原第一實驗室主持召開國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心(山西)推進會。
近日,清華大學電機系易陳誼課題組采用真空熱蒸發(fā)鍍膜與傳統(tǒng)溶液法相結(jié)合的工藝制備高質(zhì)量鈣鈦礦薄膜,突破了目前無甲胺銫甲脒鉛
近日,中國科大微電子學院龍世兵教授課題組兩篇論文入選第34屆功率半導體器件和集成電路國際會議(ISPSD,全稱為:IEEE Internat
近日,氮化鎵芯片領(lǐng)先企業(yè)珠海鎵未來科技有限公司(以下簡稱“鎵未來”)宣布完成近億元A+輪融資。
早前ASML還曾表示不擔憂中國光刻機企業(yè)的競爭,近日國產(chǎn)光刻機企業(yè)上海光刻機就獲得了4臺光刻機的訂單,顯示出國產(chǎn)光刻機正一步步獲得企業(yè)的認可,打破ASML在光刻機行業(yè)的壟斷地位。
據(jù)悉,近日,中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點實驗室狄增峰研究團隊基于鍺基石墨烯襯底開發(fā)出晶圓級金屬電極陣列轉(zhuǎn)印技術(shù),在二維材料與金屬電極的大面積無損范德華集成研究方面取得進展
強芯沙龍,第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展策略沙龍(碳化硅專場)即將開始!
據(jù)最新一期《自然·合成》報道,美國科羅拉多大學研究人員開展的一項研究,已成功合成出科學家們數(shù)十年來孜孜以求的一種新型碳——石墨炔。該成果填補了碳材料科學長期存在的空白,或為電子、光學和半導體材料研究開辟全新的途徑。
據(jù)悉,近日,NO.浦口2022GY02掛牌成交,競得單位為江蘇長晶浦聯(lián)功率半導體有限公司(以下簡稱“長晶浦聯(lián)”)。
據(jù)悉,近日,寧淮智能制造產(chǎn)業(yè)園2022年首次集中簽約儀式在南京舉行。此次共有10個項目落戶園區(qū),其中包括矽邦集成電路封測基地項目。
中國科學技術(shù)大學光學與光學工程系王亮教授課題組設(shè)計并制備的InGaAs單光子探測器芯片取得重大進展。該研究團隊通過設(shè)計金屬分布
近日,江蘇省科技廳公示2022年江蘇省科技計劃專項資金(重點研發(fā)計劃產(chǎn)業(yè)前瞻與關(guān)鍵核心技術(shù))擬立項目,公示時間自2022年5月23日至5月30日。
近日,浙江宇芯集成電路有限公司(以下簡稱“宇芯集成電路”)6吋高可靠集成電路工藝線試流片暨開工儀式在金華環(huán)宇生產(chǎn)基地舉行。
以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體功率芯片和器件,以其高壓、高頻、高溫、高速的優(yōu)良特性,能夠大幅提升各類電力電子設(shè)備的
隨著無線通信從5G向Beyond 5G(B5G)和6G發(fā)展,對于6 GHz以上電磁波頻譜的使用國際上還存在爭論,有些國家已經(jīng)將6 GHz全頻段授權(quán)
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北京市科學技術(shù)委員會、中關(guān)村科技園區(qū)管理委員會關(guān)于印發(fā) 《北京市技術(shù)轉(zhuǎn)移機構(gòu)及技術(shù)經(jīng)理人登記辦法》的通知
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財政部 稅務總局 科技部關(guān)于加大支持科技創(chuàng)新稅前扣除力度的公告
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北京:發(fā)布<2023年北京市支持中小企業(yè)發(fā)展資金實施指南>的通知(征求意見稿)》公開征集意見的通知
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